Вс557 транзистор характеристики: BC557 транзистор характеристики, datasheet, аналоги и цоколевка
|Содержание
BC557 транзистор характеристики, datasheet, аналоги и цоколевка
Главная » Транзисторы
Как видно из характеристик транзистора ВС557 он часто используются в выходных каскадах высококачественных Hi-Fi усилителей, каскадах магнитофонов и в телевизионных приемниках. Он также может применяться в импульсных и переключающих схемах, например, в управлении усилителями. Имеет высокий коэффициент усиления и низкое напряжение насыщения.
Содержание
- Распиновка
- Характеристики
- Аналоги
- Производители
Распиновка
Цоколевка кремниевого p-n-p транзистора ВС557 производят в пластмассовом корпусе ТО-92 с гибкими выводами.
Все производители данного прибора придерживаются такого расположения контактов: первый слева вывод – коллектор, второй – база, третий – эмиттер.
Характеристики
Приведем основные предельно допустимые характеристики транзистора ВС557 при температуре окружающей среды 25оС:
- Максимальное напряжение коллектор-база Uкб max = — 50 В;
- Предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uкэ max = -45 В;
- Наибольшее возможное напряжение эмиттер-база Uэб max = -5 В;
- Максимальный постоянный ток коллектора Iк max = -100 мА;
- Наибольший допустимый ток коллектора Iк пик = -200 мА;
- Рассеиваемая мощность коллектора (максимальная) Рк max = 0,5 Вт;
- Температура хранения (рабочая) Tstg = -65 … 150 оС;
- Максимальная температура перехода Tj = 150 оС.
В следующей таблице написаны основные электрические значения устройства.
В документации производителя присутствует такой параметр как «тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда»
Данное число показывает, насколько градусов увеличится температура кристалла, при увеличении рассеиваемой мощности.
Все транзисторы ВС557 по статическому коэффициенту передачи тока (hfe) делятся на три группы А, В и С.
- Для ВС557А – hfe = от 110 до 200;
- Для ВС557В – hfe = от 200 до 450;
- Для ВС557С – hfe = от 420 до 800;
На следующем рисунке приведен график зависимости коэффициента усиления транзистора при включении его по схеме с общим эмиттером hfe от тока коллектора.
На графике по оси абсцисс отложены значения тока коллектора в логарифмическом масштабе. По оси ординат отложены значения hfe.
Аналоги
Транзистор BC557 можно заменить следующими аналогами:
- BC556;
- BC560;
- 2N6015;
- 2SA1015;
- 2SA733;
- BC307.
Существуют также транзисторы, которые близки по своим параметрам, но отличаются корпусом: BCY98B, 2PB709AS, 2PB709Q, 2SA1589, 2SA1591, 2PB709S, 2SA1590, 2PB709R, 2SA1654
Отечественный аналог ВС 557 является КТ361Д, однако он имеет другой корпус.
Комплиментарная пара, которую рекомендуют производители, это – BC547. Также можно использовать BC546 и BC550.
Производители
Все DataSheet от указных производителей ВС557 можно скачать здесь. Производители: Diotec Semiconductor, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, Rectron Semiconductor, Unisonic Technologies, Fairchild Semiconductor, Continental Device India Limited, Olitech Electronics, Foshan Blue Rocket Electronics, First Silicon, Semtech Corporation, Boca Semiconductor Corporation, KEC(Korea Electronics), Micro Electronics, ON Semiconductor, NXP Semiconductors, Dc Components, SEMTECH ELECTRONICS, Tiger Electronic, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY, Micro Commercial Components, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, Siemens Semiconductor Group, General Semiconductor.
PNP Биполярные
характеристики, аналоги, datasheet и цоколевка
По своим техническим характеристикам транзистор BC557 подойдёт для использования в выходных каскадах УНЧ, в схемах управления. Его применяют в магнитофонах и телевизорах. Он отличается неплохим коэффициентом усиления по току. Изготавливается по планарно-эпитаксиальной технологии. Структура p-n-p.
Цоколевка
Изготавливают этот транзистор в корпусе ТО-92, сделанном из пластмассы и имеющим три гибких вывода. Цоколёвка ножек BC557 располагаются в следующем порядке: слева коллектор, посередине база, справа эмиттер. Внешний вид представлен на рисунке.
Технические характеристики
Рассмотрение технических характеристик начнём с рассмотрения предельно допустимых. Без их знания нельзя принимать решение о замене и проектировать устройства. Если реальные значения превысят максимальные, то транзистор выйдет из строя. Для BC557 они равны:
- разность потенциалов К-Б VCBO (Uкб max) = — 50 В;
- разность потенциалов К-Э VCЕO (Uкэ max) = — 45 В;
- разность потенциалов Э-Б VЕВO (Uэб max) = — 5 В;
- коллекторный ток IC (Iк max) = -100 мА;
- кратковременны коллекторный ток ICM max (Iк пик) = -200 мА;
- мощность PD (Рк max) = 0,5 Вт;
- тепловое сопротивление полупроводник-воздух RθJA = 200 °С/Вт;
- температура хранения (рабочая) Tstg = -65 … 150°С;
- максимальная температура полупроводника Tj = 150°С.
Кроме максимальных стоит также обратить внимание на электрические характеристика BC557. От них также зависят возможности транзистора. Все они измерялись при температуре 12°С. Остальные важные параметры указаны в колонке «Условия измерения».
Электрические характеристики транзистора 2SD882 (при Т = +25 оC) | ||||||
Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм |
Пробивное напряжение К-Б | IC = -100 мкA | V(BR)CВO | -50 | В | ||
Пробивное напряжение К-Э | IC=1 мA | V(BR)CEО | -45 | В | ||
Пробивное напряжение Э-Б | IE= 10 мкA | V(BR)EBO | 6-5 | В | ||
Обратный ток коллектора | VCВ = -20 В | ICВO | -0,1 | мкА | ||
Обратный ток К-Э | VCE= -40В | ICEХ | -0,1 | мкА | ||
Обратный ток эмиттера | VEB = -5 В | IEBO | -0,1 | мкА | ||
Напряжение насыщения К-Э | IC= -10 мA, IB = -0,5м A | V CE(sat) | -0,3 | В | ||
IC= -100 мA, IB = -5 мA | -0,65 | В | ||||
Напряжение насыщения Б-Э | IC= -10 мA, IB = -0,5 мA | V ВE(sat) | -0,8 | В | ||
IC= -100 мA, IB = -5 мA | -1 | В | ||||
Напряжение Б-Э | VCE =-5 В, IC =-2 мA | VBE | -0,55 | -0,7 | В | |
VCE =-5 В, IC =-10 мA | -0,82 | В | ||||
Выходная ёмкость на коллекторе | VCB =-10В,IE =0, f=1 МГц | Cob | 8 | пФ | ||
Граничная частота к-та передачи тока | VCE=-5В, IC= -10мA, f=100 МГц | fT | 50 | 150 | МГц |
Транзисторы BC557, в зависимости от коэффициента усиления делятся на три группы:
- А — hFE = 120…220;
- В — hFE = 180 … 460;
- С — hFE = 420 …800.
Аналоги
Близкими аналогами BC557 являются следующие транзисторы 2SA1015 и 2SA733. Существует три отечественных транзистора аналогичные BC557 – это КТ3107, КТ361Д и КТ668Б. Комплементарная пара для BC557 это – BC547. Также иногда используют BC546 и BC550.
Производители и Datasheet
Нам удалось найти datasheet на BC557 производителей следующих зарубежных фирм:
- Continental Device India Limited;
- Dc Components;
- Diotec Semiconductor;
- Fairchild Semiconductor;
- Jiangsu Changjiang Electronics Technology;
- KEC(Korea Electronics);
- Micro Commercial Components;
- NXP Semiconductors;
- ON Semiconductor;
- Unisonic Technologies.
В магазинах России чаше всего можно найти продукцию следующих компаний: NXP Semiconductors, Micro Commercial Components, Continental Device India Limited, ON Semiconductor и Diotec Semiconductor.
PNP
Распиновка транзистора
BC557, описание, аналог и техническое описание
26 октября 2017 — 0 комментариев
BC557 Pin Конфигурация
Номер контакта | Имя контакта | Описание |
1 | Коллектор | Ток протекает через коллектор |
2 | Базовый | Управляет смещением транзистора |
3 | Излучатель | Утечка тока через эмиттер |
Особенности
- Биполярный транзистор PNP
- Коэффициент усиления постоянного тока (h FE ) не более 300
- Непрерывный ток коллектора (I C ) составляет 100 мА
- Базовое напряжение эмиттера (V BE ) составляет 6 В
- Базовый ток (I B ) составляет максимум 5 мА
- Доступен в пакете To-92
Примечание. Полную техническую информацию о можно найти в техническом описании BC557 , приведенном в конце этой страницы.
BC557 Эквивалентные PNP-транзисторы
BC157, BC558, 2N3906, 2SA1943, BD140, S8550, TIP127, TIP42
Краткое описание транзистора BC557. сигнал подается на базовый контакт. В этом отличие PNP-транзистора от NPN-транзистора: логическое состояние (синий цвет) используется для переключения между заземлением и сигнальным напряжением (напряжение эмиттер-база V BE ), как показано ниже 9.0003
BC557 имеет значение усиления от 110 до 800, это значение определяет мощность усиления транзистора. Максимальное количество тока, которое может протекать через вывод коллектора, составляет 100 мА, поэтому мы не можем подключать нагрузки, потребляющие более 100 мА, с помощью этого транзистора. Чтобы сместить транзистор, мы должны подать ток на базовый вывод, этот ток (I B ) должен быть ограничен до 5 мА.
Когда этот транзистор полностью смещен, он может пропускать через коллектор и эмиттер максимум 100 мА. Этот этап называется Область насыщения и типичное напряжение, допустимое между коллектором-эмиттером (V CE ) или базой-эмиттером (V BE ), может составлять 200 и 900 мВ соответственно. Когда ток базы удаляется, транзистор полностью закрывается, этот этап называется областью отсечки , а напряжение базы-эмиттера может составлять около 660 мВ.
BC557 Транзистор в качестве переключателя
Когда транзистор используется в качестве переключателя, он работает в режиме Насыщенность и область отсечки , как описано выше. Как обсуждалось, транзистор будет действовать как разомкнутый переключатель при прямом смещении и как замкнутый переключатель при обратном смещении, это смещение может быть достигнуто путем подачи необходимого количества тока на базовый вывод. Как уже упоминалось, ток смещения не должен превышать 5 мА. Все, что превышает 5 мА, убьет транзистор; следовательно, резистор всегда добавляется последовательно с базовым выводом. Значение этого резистора (R B ) можно рассчитать по приведенным ниже формулам.
R B = V BE / I B
C ). Значение I B не должно превышать мА.
BC557 Транзистор в качестве усилителя
ток при разных конфигурациях
Некоторые из конфигураций, используемых в схемах усилителя:
- Усилитель с общим эмиттером
- Усилитель с общим коллектором
- Усилитель с общей базой
Из вышеперечисленных типов тип с общим эмиттером является популярной и наиболее часто используемой конфигурацией. При использовании в качестве усилителя усиление по постоянному току транзистора можно рассчитать по приведенным ниже формулам
. Коэффициент усиления постоянного тока = ток коллектора (I C ) / базовый ток (I B )
Приложения
- Модули драйверов, такие как драйвер реле, драйвер светодиодов и т.