Сколько контактов на ddr2: Как узнать сколько контактов DDR2 на моей материнской плате ,если когда на планке оперативной памяти,которую я куплю.Форм-фактор FB-DIMM 240-контактн?

admin | 12.05.2023 | Популярное | Комментариев нет

Содержание

Частые вопросы — Оперативная память

Что такое форм-фактор модуля памяти?

Форм-фактором называется стандарт, который определяет основные показатели модуля памяти (габариты, число и принцип расположения контактов). На рынке существует следующий ряд форм-факторов памяти, они физически несовместимы между собой: 

  • SIMM;

  • DIMM;

  • FB-DIMM;

  • SODIMM;

  • MicroDIMM;

  • RIMM.

Рассмотрим их подробнее:

SIMM (Single in Line Memory Module). Модули форм-фактора SIMM бывают двух версий: 30-контактные и 72-контактные. Каждый контакт обладает выходом на обе стороны платы.

DIMM (Dual in Line Memory Module). Модули форм-фактора DIMM, обычно, бывают следующих типов: 168-контактные, 184-контактные, 200-контактные и 240-контактные. Независимые контактные площадки располагаются по обе стороны платы. 

FB-DIMM. Данный стандарт модулей памяти используется в серверах. В механическом плане, этот тип модуля идентичен модулям памяти DIMM 240-pin, но при этом категорически несовместим с обычными небуферизованными модулями DDR2 DIMM и DDR2 DIMM (Registered). 

SO-DIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module). Уменьшенная вариация стандарта DIMM. Применяется, в основном, в ноутбуках и устройствах типа Tablet PC. Распространенные модули форм-фактора SO-DIMM — 144-контактные и 200-контактные. Реже встречаются 72- и 168-контактные. 

MicroDIMM (Micro Dual In-Line Memory Module). Еще более уменьшенная в габаритах, по сравнению с SO-DIMM, версия DIMM. В основном, данный форм-фактор устанавливается в субноутбуки. Оснащается 60-контактной площадкой. На рынке существуют следующие варианты MicroDIMM: 144-контактный SDRAM, 172-контактный DDR и 214-контактный DDR2.  

RIMM. Данный форм-фактор распространяется на все модули памяти типа RIMM (RDRAM). На рынке существуют следующие вариации данного форм-фактора: 184-контактная, 168-контактная и 242-контактная. 

Важно: при выборе форм-фактора модуля оперативной памяти, необходимо иметь ввиду, что материнская плата, на которую в дальнейшем будет устанавливаться данная память, должна иметь поддержку выбранного форм-фактора оперативной памяти.

Типы оперативной памяти

Тип — очень важный параметр оперативной памяти. Им определяется ее внутренняя структура и основные характеристики. В настоящее время, на рынке существуют 5 основных типов оперативной памяти: 

  • SDRAM;

  • DDR SDRAM;

  • DDR2 SDRAM;

  • DDR3 SDRAM;

  • RIMM. 

Рассмотрим подробнее каждый из них:

SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) — синхронная динамическая память, обладающая произвольным доступом. В отличие от типов памяти предыдущих поколений, обладает функцией синхронизации с системным генератором. Это дает возможность контроллеру памяти точно определять время готовности данных, что существенно сокращает временные задержки, возникающие в процессе циклов. В недалеком прошлом, данный тип оперативной памяти широко применялся в ПК, однако сегодня тотально вытеснен с рынка типом DDR и его «последователями». 

DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) — синхронная динамическая память, обладающая случайным доступом и удвоенной скоростью передачи. Ключевым преимуществом типа памяти DDR SDRAM перед типом SDRAM является увеличенная вдвое пропускная способность памяти, при той же тактовой частоте. Так, за один такт системного генератора производится не одна, как в SDRAM, а сразу две операции с данными. Отсюда и название: Double Data Rate (удвоенная скорость передачи данных). 

DDR2 SDRAM — следующее поколение памяти DDR, второе по счету. Являясь эволюционным продолжением DDR, новое поколение сохранило в себе принципы функционирования «предшественника». Ключевое отличие кроется лишь в том, что в новом типе производится выборка 4-х бит данных за один такт, тогда как в первом DDR осуществлялась 2-х битная выборка. Кроме того, DDR2 отличается более низким энергопотреблением, меньшим тепловыделением и большей рабочей частотой. 

DDR3 SDRAM — следующее за DDR2 SDRAM поколение оперативной памяти. В нем применяется та же технология «удвоения частоты», что и в DDR2. Ключевыми отличиями нового поколения памяти от предшествующего являются: возможность работы на более высокой частоте, и меньшее энергопотребление. Модули памяти DDR3 оснащены специальными «ключами», представляющими собой ориентирующие вырезы. Эти вырезы имеют явные отличия от «ключей» модулей памяти DDR2. Так, модули DDR3 и DDR2 не имеют совместимости со старыми слотами. 

RIMM (RDRAM, Rambus DRAM) — синхронная динамическая память. Автором и разработчиком данного стандарта является корпорация Rambus. Главное отличие типа RIMM от DDR-памяти заключается в увеличенной тактовой частоте, которую удалось добиться благодаря сокращению разрядности шины при одновременной передаче номера строки/столбца ячейки в ходе обращения к памяти. Обладая чуть более высокой производительностью, RDRAM, при выходе на рынок, была значительно дороже DDR. Это повлекло за собой практически тотальное вытеснение RIMM с рынка оперативной памяти.

Выбирая оперативную память, пользователь, прежде всего, должен ориентироваться на возможности имеющейся/выбранной материнской платы, поскольку в параметрах «материнки» заложена совместимость с тем или иным модулем памяти.

Что такое упаковка чипов?

Это определенный характер расположения чипов на модуле памяти. Модули могут быть как с односторонней, так и с двусторонней упаковкой. Когда микросхемы установлены с обеих сторон модуля, толщина модуля, соответственно, увеличивается. Физически, такие модули не могут устанавливаться в некоторые системы.

Что такое тактовая частота?

Тактовая частота — это максимальная частота системного генератора, на которой синхронизируются процессы приема/передачи информации.

В типе памяти DDR (а также DDR2 и DDR3) указывается двойное значение тактовой частоты. Это делается потому, что за один такт осуществляется две операции с данными.

Чем выше тактовая частота, тем большее количество операций производится за единицу времени. Это дает возможность приложениям достигнуть более стабильной и быстрой работы. При прочих равных параметрах, память с более высокой тактовой частотой обладает более высокой стоимостью.

Что такое совместимость модуля памяти?

Некоторые модули памяти предназначаются исключительно для определенных ПК и ноутбуков. Это — специальные модули, выпускаемые производителями строго для определенных моделей. Однако, существуют и модули широкого применения, которые доступны для установки на различного рода компьютеры.

Что такое радиатор модуля памяти?

Это специальные металлические пластины, установленные на микросхемах памяти. Основной их функцией является улучшение теплоотдачи системы. Обычно, радиаторы устанавливаются непосредственно на модули. Однако, монтировать их имеет смысл только на высокочастотные модули памяти.

Что такое пропускная способность модуля памяти?
Это тот объем информации, который может быть передан или получен за 1 секунду времени. Данный показатель в модуле памяти напрямую зависит от тактовой частоты. Чтобы рассчитать его, нужно умножить показатель тактовой частоты на ширину шины. Так, чем выше пропускная способность, тем выше скорость работы памяти, и соответственно, выше цена самого модуля (при идентичности всех остальных параметров).
Поддержка ECC

ECC (Error Checking and Correction) — алгоритм, способный обнаруживать и исправлять случайные ошибки, возникшие в результате передачи данных в системе оперативной памяти. Ошибка не должна превышать 1 бит в байте.

Некоторые материнские платы рабочих станций имеют поддержку технологии ECC. Также, ею обладают почти все без исключения серверные платы.

Модули памяти с технологией ECC отличаются более высокой стоимостью, в сравнении с обычными модулями.

Объем памяти одного модуля

Рассчитать общий объем памяти можно, сложив объемы установленных в систему модулей памяти.

Обычному офисному компьютеру для работы в Интернете и простых приложениях хватит 512 Мб. Для комфортной работы с графическими приложениями потребуется 1 Гб (1024 Мб) памяти. Сложные графические программы, а также «тяжелые» компьютерные игры будут должным образом функционировать при 2 Гб (2048 Мб) памяти и выше.

Диапазон объема памяти одного модуля: от 0.03125 до 32.0 Гб.

Низкопрофильный модуль памяти

Модуль памяти уменьшенной (по сравнению с габаритами стандартного модуля) высоты.  Как правило, устанавливается в серверные корпуса с заниженным профилем (Low Profile).

Напряжение питания модуля памяти

Каждый модуль оперативной памяти рассчитан на определенный показатель напряжения питания. Вот почему при выборе модуля памяти важно проверить поддержку вашей материнской платой требуемого напряжения питания.

Число чипов на модуле памяти

На одном модуле памяти может располагаться определенное количество чипов. Микросхемы этих чипов могут быть установлены как с одной, так и с обеих сторон платы модуля.

Диапазон количества чипов каждого модуля памяти: от 1 до 72.

Число ранков модуля памяти

Ранк — это область памяти, создаваемая чипами ее модуля. Обладает шириной 64 бита (72 бита, при наличии поддержки ECC).

В зависимости от конструкции, в модуле может быть расположено 1, 2 или 4 ранка.

В настоящее время, все серверные материнские платы обладают ограничением на суммарное количество ранков памяти. К примеру, если в материнской плате может быть установлено максимум 8 ранков или 4 двухранковых модуля, то свободные слоты не будут поддерживать дополнительные модули, поскольку это приведет к превышению установленного ограничения. Вот почему цена одноранковых модулей выше, в сравнении с 2-х- и 4-ранковыми.

Число модулей в комплекте

Модули памяти могут продаваться в наборе. На рынке, помимо одиночных планок, нередко встречаются комплекты по 2, 4, 6, 8 модулей памяти, обладающих идентичными характеристиками. Эти комплекты специально подобраны для работы в двухканальном режиме.

Применение двухканального режима значительно увеличивает пропускную способность оперативной памяти. Таким образом, увеличивается и скорость работы запущенных приложений. Тем пользователям, которым необходима высокая скорость работы игровых и графических приложений, следует обратить особое внимание именно на такие наборы модулей памяти.

При покупке отдельных модулей памяти, важно помнить, что модули даже с идентичными характеристиками, от одного производителя, но приобретенные по отдельности, могут не сработать в паре. При этом необходимо учитывать, что сама материнская плата должна иметь поддержку двухканального режима работы памяти.

Число контактов в модуле памяти

Каждый модуль памяти обладает своим количеством расположенных на нем контактных площадок. Число контактов, находящихся в слоте оперативной памяти материнской платы, обязано совпадать с числом контактов на модуле.

Помимо идентичного количества контактов, совпадать должны и вырезы (ключи, препятствующие некорректной установке).

Диапазон количества контактов модуля памяти: от 144 до 244.

Что такое буферизованный модуль памяти?

Модуль памяти может оснащаться специальными буферами (регистрами). Эти буферы довольно-таки быстро производят сохранение поступивших в них данных, а также сокращают нагрузку на систему синхронизации, давая дополнительное свободное пространство контроллеру памяти.

Установленный между контроллером и чипами памяти буфер образует дополнительную задержку в ходе выполнения операций. Эта задержка составляет обычно 1 такт. Так, показателя высокой надежности можно добиться лишь путем сокращения (пускай и незначительного) быстродействия памяти.

Буферизированные модули памяти отличаются весьма высокой стоимостью и применяются в основном в серверах. Следует также отметить, что буферизованная и небуферизованная память не имеет между собой совместимости.

Что такое tRP?

tRP — это количество тактов между командой закрытия строки и командой открытия следующей строки. По сути, этот показатель определяет то время, которое необходимо для чтения первого бита памяти при другой активной строке: TRP + TRCD + CL.

Row Precharge Delay. Данный параметр определяет время повторной выдачи сигнала RAS. За это время контроллер памяти способен повторно выдать сигнал инициализации адреса строки.

Что такое tRCD?

tRCD — это количество тактов между командой открытия строки и непосредственным доступом к ее столбцам. Данный показатель включает в себя время, которое необходимо для чтения первого бита памяти, без активной строки: TRCD + CL.

RAS to CAS Delay — время задержки между определяющими сигналами адреса строки/столбца.

Что такое tRAS?

tRAS — это количество тактов между командой на открытие банка и командой на заряд. Это то время  которое требуется на обновление строки. Данный показатель сочетается с показателем TRCD.

Activate to Precharge Delay — минимальное число циклов между активацией (RAS) и подзарядкой (Precharge) одного и того же банка памяти.

Что такое CAS Latency (CL)?

Данный показатель обозначает временную задержку между отправкой адреса строки/столбца в память и моментом запуска процесса передачи данных. Это время, которое необходимо для чтения первого бита памяти при открытой нужной строке.

CAS — число тактов от момента запроса данных до момента их считывания. Является одной из ключевых характеристик модуля памяти. По сути, данный показатель определяет ее быстродействие. Чем ниже показатель CL, тем выше работоспособность памяти.

Распиновка разъёмов оперативной памяти SIMM, SDRAM, RDRAM, DDR1, DDR2, DDR3

  • Список рубрик
  • Последние новости

  • 25/12/2022

    720

    Подробнее

  • 01/12/2022

    559

    Подробнее

  • 04/08/2022

    958

    Подробнее

  • 26/07/2022

    990

    Подробнее

  • 22/07/2022

    1. 1 K

    Подробнее

  • Теги этой статьи
  • ddr1
  • ddr2
  • ddr3
  • rdram
  • sdram
  • simm
  • оперативная
  • память
  • разъём
  • распиновка
  • Самые популярные статьи
  • Новые статьи на сайте

07/10/2017

21.2 K

ddr1, ddr2, ddr3, rdram, sdram, simm, оперативная

Память DDR SDRAM DIMM (184 pin, Unbuffered)

Модуль памяти DDR SDRAM DIMM (184 pin, Unbuffered)

Нажмите для увеличения изображения

Нажмите для увеличения изображения

Распиновка разъёма DDR SDRAM DIMM (184 pin, Unbuffered)

Slot pin # Name Description
1 VREF Power supply for reference
2 DQ0 Data input / output
3 VSS Ground
4 DQ1 Data input / output
5 DQS0 Data strobe input / output
6 DQ2 Data input / output
7 VDD Power supply (2,5V)
8 DQ3 Data input / output
9 NC Not connected
10 NC Not connected
11 VSS Ground
12 DQ8 Data input / output
13 DQ9 Data input / output
14 DQS1 Data strobe input / output
15 VDD Power supply (2,5V)
16 CK1 Clock input
17 CK1# Clock input
18 VSS Ground
19 DQ10 Data input / output
20 DQ11 Data input / output
21 CKE0 Clock enable input
22 VDD Power supply (2,5V)
23 DQ16 Data input / output
24 DQ17 Data input / output
25 DQS2 Data strobe input / output
26 VSS Ground
27 A9 Address input (multiplexed)
28 DQ18 Data input / output
29 A7 Address input (multiplexed)
30 VDD Power supply (2,5V)
31 DQ19 Data input / output
32 A5 Address input (multiplexed)
33 DQ24 Data input / output
34 VSS Ground
35 DQ25 Data input / output
36 DQS3 Data strobe input / output
37 A4 Address input (multiplexed)
38 VDD Power supply (2,5V)
39 DQ26 Data input / output
40 DQ27 Data input / output
41 A2 Address input (multiplexed)
42 VSS Ground
43 A1 Address input (multiplexed)
44 CB0 Not connected
45 CB1 Not connected
46 VDD Power supply (2,5V)
47 DQS8 Data strobe input / output
48 A0 Address input (multiplexed)
49 CB2 Not connected
50 VSS Ground
51 CB3 Not connected
52 BA1 Bank select address
53 DQ32 Data input / output
54 VDD Power supply (2,5V)
55 DQ33 Data input / output
56 DQS4 Data strobe input / output
57 DQ34 Data input / output
58 VSS Ground
59 BA0 Bank select address
60 DQ35 Data input / output
61 DQ40 Data input / output
62 VDD Power supply (2,5V)
63 WE# Write enable
64 DQ41 Data input / output
65 CAS# Column address strobe
66 VSS Ground
67 DQS5 Data strobe input / output
68 DQ42 Data input / output
69 DQ43 Data input / output
70 VDD Power supply (2,5V)
71 NC Not connected
72 DQ48 Data input / output
73 DQ49 Data input / output
74 VSS Ground
75 CK2# Clock input
76 CK2 Clock input
77 VDD Power supply (2,5V)
78 DQS6 Data strobe input / output
79 DQ50 Data input / output
80 DQ51 Data input / output
81 VSS Ground
82 NC Not connected
83 DQ56 Data input / output
84 DQ57 Data input / output
85 VDD Power supply (2,5V)
86 DQS7 Data strobe input / output
87 DQ58 Data input / output
88 DQ59 Data input / output
89 VSS Ground
90 NC Not connected
91 SDA Serial data I/O
92 SCL Serial clock
93 VSS Ground
94 DQ4 Data input / output
95 DQ5 Data input / output
96 VDD Power supply (2,5V)
97 DQS9 Data strobe input / output
98 DQ6 Data input / output
99 DQ7 Data input / output
100 VSS Ground
101 NC Not connected
102 NC Not connected
103 NC Not connected
104 VDD Power supply (2,5V)
105 DQ12 Data input / output
106 DQ13 Data input / output
107 DQS10 Data strobe input / output
108 VDD Power supply (2,5V)
109 DQ14 Data input / output
110 DQ15 Data input / output
111 CKE1 Clock enable input
112 VDD Power supply (2,5V)
113 NC Not connected
114 DQ20 Data input / output
115 A12 Address input (multiplexed)
116 VSS Ground
117 DQ21 Data input / output
118 A11 Address input (multiplexed)
119 DQS11 Data strobe input / output
120 VDD Power supply (2,5V)
121 DQ22 Data input / output
122 A8 Address input (multiplexed)
123 DQ23 Data input / output
124 VSS Ground
125 A6 Address input (multiplexed)
126 DQ28 Data input / output
127 DQ29 Data input / output
128 VDD Power supply (2,5V)
129 DQS12 Data strobe input / output
130 A3 Address input (multiplexed)
131 DQ30 Data input / output
132 VSS Ground
133 DQ31 Data input / output
134 CB4 Not connected
135 CB5 Not connected
136 VDD Power supply (2,5V)
137 CK0 Clock input
138 CK0# Clock input
139 VSS Ground
140 DQS17 Data strobe input / output
141 A10 Address input (multiplexed)
142 CB6 Not connected
143 VDD Power supply (2,5V)
144 CB7 Not connected
145 VSS Ground
146 DQ36 Data input / output
147 DQ37 Data input / output
148 VDD Power supply (2,5V)
149 DQS13 Data strobe input / output
150 DQ38 Data input / output
151 DQ39 Data input / output
152 VSS Ground
153 DQ44 Data input / output
154 RAS# Row address strobe
155 DQ45 Data input / output
156 VDD Power supply (2,5V)
157 S0# Chip select input
158 S1# Chip select input
159 DQS14 Data strobe input / output
160 VSS Ground
161 DQ46 Data input / output
162 DQ47 Data input / output
163 NC Not connected
164 VDD Power supply (2,5V)
165 DQ52 Data input / output
166 DQ53 Data input / output
167 NC Not connected
168 VDD Power supply (2,5V)
169 DQS15 Data strobe input / output
170 DQ54 Data input / output
171 DQ55 Data input / output
172 VDD Power supply (2,5V)
173 NC Not connected
174 DQ60 Data input / output
175 DQ61 Data input / output
176 VSS Ground
177 DQS16 Data strobe input / output
178 DQ62 Data input / output
179 DQ63 Data input / output
180 VDD Power supply (2,5V)
181 SA0 Address in EEPROM
182 SA1 Address in EEPROM
183 SA2 Address in EEPROM
184 VDDSPD Serial EEPROM power supply (2,3-3,6V)

 

Память DDR2 SDRAM DIMM Unbuffered Module (240 pin)

Модуль памяти DDR2 SDRAM DIMM (240 pin, Unbuffered)

Нажмите для увеличения изображения

Разъём 240 pin DDR2

Нажмите для увеличения изображения

Распиновка разъёма 240 pin DDR2

Контакт # Описание Контакт # Описание
1 VREF 121 VSS
2 VSS 122 DQ4
3 DQ0 123 DQ5
4 DQ1 124 VSS
5 VSS 125 DM0
6 /DQS0 126 NC
7 DQS0 127 VSS
8 VSS 128 DQ6
9 DQ2 129 DQ7
10 DQ3 130 VSS
11 VSS 131 DQ12
12 DQ8 132 DQ13
13 DQ9 133 VSS
14 VSS 134 DM1
15 /DQS1 135 NC
16 DQS1 136 VSS
17 VSS 137 CK1
18 NC 138 /CK1
19 NC 139 VSS
20 VSS 140 DQ14
21 DQ10 141 DQ15
22 DQ11 142 VSS
23 VSS 143 DQ20
24 DQ16 144 DQ21
25 DQ17 145 VSS
26 VSS 146 DM2
27 /DQS2 147 NC
28 DQS2 148 VSS
29 VSS 149 DQ22
30 DQ18 150 DQ23
31 DQ19 151 VSS
32 VSS 152 DQ28
33 DQ24 153 DQ29
34 DQ25 154 VSS
35 VSS 155 DM3
36 /DQS3 156 NC
37 DQS3 157 VSS
38 VSS 158 DQ30
39 DQ26 159 DQ31
40 DQ27 160 VSS
41 VSS 161 NC
42 NC 162 NC
43 NC 163 VSS
44 VSS 164 NC
45 NC 165 NC
46 NC 166 VSS
47 VSS 167 NC
48 NC 168 NC
49 NC 169 VSS
50 VSS 170 VDDQ
51 VDDQ 171 CKE1
52 CKE0 172 VDD
53 VDD 173 NC
54 NC 174 NC
55 NC 175 VDDQ
56 VDDQ 176 A12
57 A11 177 A9
58 A7 178 VDD
59 VDD 179 A8
60 A5 180 A6
61 A4 181 VDDQ
62 VDDQ 182 A3
63 A2 183 A1
64 VDD 184 VDD
KEY (Ключ)
65 VSS 185 CK0
66 VSS 186 /CK0
67 VDD 187 VDD
68 NC 188 A0
69 VDD 189 VDD
70 A10/AP 190 BA1
71 BA0 191 VDDQ
72 VDDQ 192 /RAS
73 /WE 193 /CS0
74 /CAS 194 VDDQ
75 VDDQ 195 ODT0
76 /CS1 196 A13
77 ODT1 197 VDD
78 VDDQ 198 VSS
79 VSS 199 DQ36
80 DQ32 200 DQ37
81 DQ33 201 VSS
82 VSS 202 DM4
83 /DQS4 203 NC
84 DQS4 204 VSS
85 VSS 205 DQ38
86 DQ34 206 DQ39
87 DQ35 207 VSS
88 VSS 208 DQ44
89 DQ40 209 DQ45
90 DQ41 210 VSS
91 VSS 211 DM5
92 /DQS5 212 NC
93 DQS5 213 VSS
94 VSS 214 DQ46
95 DQ42 215 DQ47
96 DQ43 216 VSS
97 VSS 217 DQ52
98 DQ48 218 DQ53
99 DQ49 219 VSS
100 VSS 220 CK2
101 SA2 221 /CK2
102 NC 222 VSS
103 VSS 223 DM6
104 /DQS6 224 NC
105 DQS6 225 VSS
106 VSS 226 DQ54
107 DQ50 227 DQ55
108 DQ51 228 VSS
109 VSS 229 DQ60
110 DQ56 230 DQ61
111 DQ57 231 VSS
112 VSS 232 DM7
113 /DQS7 233 NC
114 DQS7 234 VSS
115 VSS 235 DQ62
116 DQ58 236 DQ63
117 DQ59 237 VSS
118 VSS 238 VDDSPD
119 SDA 239 SA0
120 SCL 240 SA1

Описание контактов и другую информацию по распиновке DDR2 можно найти в документации к модулям памяти DDR2 Micron.

 

Память DDR3 SDRAM DIMM Unbuffered Module (240 pin)

Модуль памяти DDR3 SDRAM DIMM (240 pin, Unbuffered)

Нажмите для увеличения изображения

Разъём 240 pin DDR3

Нажмите для увеличения изображения

Описание контактов и другую информацию по распиновке можно найти в документации к модулям памяти DDR3 Micron.

Распиновка разъёма 240 pin DDR3

Нажмите для увеличения изображения

Источник: radio-hobby.org

Теги этой статьи
  • ddr1
  • ddr2
  • ddr3
  • rdram
  • sdram
  • simm
  • оперативная
  • память
  • разъём
  • распиновка

Близкие по теме статьи:

Проверяем microSD SD карты памяти, реальный объём, скорость чтения и записи

7.8 K

h3testw, microsd, usb, карта, память, флэшка

Читать

Распиновка оперативной памяти DDR4 для настольных ПК

11. 8 K

ddr4, земля, контакты, общий, оперативки, памяти, питание

Читать

Распиновка разъёмов матриц для ноутбуков. 20pin, 30 pin, 40pin, 50pin.

21.4 K

20pin, 30pin, 40pin, 50pin, pinouts, матрица, ноутбук

Читать

Распиновка разъёмов оперативной памяти ноутбука. (SIMM, SDRAM, RDRAM, DDR1, DDR2, DDR3)

7.9 K

ddr, ddr2, ddr3, dimm, microdimm, pc100, pc133

Читать

Типы оперативной памяти. Память небуферизированная, память с ECC, память регистровая с ECC. В чём отличия.

24.8 K

ecc, memory, registered, буфер, микросхем, ошибок, память

Читать

Интересное в новостях

25/12/2022 11:38

720

Сначала у их подвала было два выхода – во второй и четвертый подъезд. Но к середине марта выходы уже были завалены, и люди пробирались в укрытие и выбирались из него через узкий лаз. Старикам и детям…

Читать полностью

01/12/2022 12:00

559

Момент бомбового удара авиации российских оккупантов по драматическому театру 16 марта 2022 г. в городе Мариуполь, Украина, унёсшего жизни нескольких сотен горожан (женщин и детей).

Читать полностью

04/08/2022 12:50

958

Из Крыма приехали волонтёры в Мариуполь и привезли гуманитарную помощь для оставшихся в городе жителей, немного пообщались с пожилыми жителями города, мамочками с детьми и другими, кто нуждается в помощи….

Читать полностью

Компьютерный мирSector

Вся информация на страницах сайта предназначена только для личного не коммерческого использования, учёбы, повышения квалификации и не включает призывы к каким либо действиям.

Частичное или полное использование материалов сайта разрешается только при условии добавления ссылки на непосредственный адрес материала на нашем сайте.

Это интересно

Узнайте о модулях компьютерной памяти – centonelectronics

SDRAM является синхронной, и поэтому использует часы для синхронизации сигналов, создавая предсказуемые упорядоченные циклы выборки и записи данных. Однако SDRAM передает данные по одному фронту тактовой частоты. DDR SDRAM означает, что этот тип SDRAM извлекает данные как по переднему, так и по заднему фронту тактового сигнала, который регулирует его, отсюда и название «Двойная скорость передачи данных». До DDR RAM извлекала данные только один раз за такт. Синхронные данные обеспечивают более быструю работу при координации выборки памяти с требованиями процессора.

Многие люди называют оперативную память процессора просто «DDR», используя эти термины взаимозаменяемо, поскольку DDR ​​так широко используется в качестве оперативной памяти процессора с конца 1990-х годов. DDR — это не флэш-память, подобная той, которая используется для твердотельных накопителей (SSD), карт Secure Digital (SD) или накопителей с универсальной последовательной шиной (USB). Память DDR энергозависима, что означает, что она теряет все при отключении питания.

Оперативная память DDR1

Выпущена в 2000 г., не использовалась почти до 2002 г. Работала при напряжении 2,5 В и 2,6 В, а ее максимальная плотность составляла 128 Мб (поэтому модулей более 1 Гб не было ) со скоростью 266 МТ/с (100-200 МГц).

ОЗУ DDR2

Выпущенный примерно в 2004 году, он работал при напряжении 1,8 В, что на 28% меньше, чем у DDR1. Его максимальная плотность была удвоена до 256 Мб (2 Гб на модуль). Логично, что и максимальная скорость приумножилась, достигнув 533 МГц.

ОЗУ DDR3

Этот выпуск вышел в 2007 году, и здесь были реализованы профили XMP. Начнем с того, что модули памяти работали при напряжении 1,5 В и 1,65 В, с базовой частотой 1066 МГц, а плотность достигала 8 ГБ на модуль.

• (XMP или Extreme Memory Profiles — это технология Intel, которая позволяет изменять несколько параметров памяти, просто выбирая другой профиль, используя более высокие, чем стандартные, скорости памяти)

ОЗУ DDR4

Это не поступать до 2014 года, но на сегодняшний день он является самым распространенным. Напряжение снижено до 1,05 и 1,2В, хотя многие модули работают при 1,35В. Скорость была заметно увеличена, и с каждым разом с завода выпускается более быстрая память, но ее базовая частота начиналась с 2133 МГц. На данный момент уже есть модули на 32 Гб, но и это понемногу расширяется.

Стандарт

Рабочее напряжение

Тактовые частоты связанной оперативной памяти

DDR SDRAM (2000)

9005 2 SDRAM 3 (2003 г.)

DDR3 SDRAM (2007 г.)

DDR4 SDRAM (2014)

2,6 В, 2,5 В

1,8 В, 1,55 В

1,5 В, 1,35 В

100–200 МГц

9002 9003

2000 – 400 МГц – 1066 МГц

1066 – 1600 МГц

Физические различия

Хотя эти четыре типа памяти имеют формат DIMM и могут выглядеть очень похоже (на самом деле все они имеют длину 133,35 мм). Существуют фундаментальные физические различия, из-за которых вы не можете подключить модуль оперативной памяти DDR1 к разъему DDR2.

Все модули имеют отверстие в области контактов, что предотвратит их подключение к розеткам другого поколения.

Наконец, следует отметить, что в каждом поколении количество контактов менялось следующим образом:

Самая большая разница от поколения к поколению оперативной памяти заключалась в производительности. По мере развития и совершенствования технологий мы обычно наблюдаем удвоение для каждого выпуска.

DDR5 SDRAM — следующий стандарт, предложенный для удвоения скорости DDR4 SDRAM. По данным Ассоциации твердотельных технологий JEDEC, которая является стандартом для DDR SDRAM, «стандарт JEDEC DDR5 в настоящее время находится в разработке в комитете JEDEC JC-42 по твердотельным запоминающим устройствам. JEDEC DDR5 предлагает улучшенную производительность с большей энергоэффективностью по сравнению с технологиями DRAM предыдущего поколения. Как и планировалось, DDR5 обеспечит удвоенную пропускную способность и плотность по сравнению с DDR4, а также повысит эффективность канала».

Сколько контактов у моей оперативной памяти? Давайте проясним путаницу!

Знакомы ли вы с тем фактом, что ваша оперативная память включает контакты? У каждого типа оперативной памяти есть контакты. Это основные части оперативной памяти, которые дают ей питание для точной работы. Но многие из нас не знают, сколько контактов присутствует в оперативной памяти компьютера.

Итак, сколько контактов у моей оперативной памяти? Короче говоря, DDR4 SDRAM имеет 288 контактов, которые используются большинством людей. Кроме того, SO-DIMMS, ОЗУ DDR2, ОЗУ DDR3 и ОЗУ DDR4 имеют 260 контактов, 204 контакта, 204 контакта (аналогично ОЗУ DDR2) и 288 контактов соответственно.

Существуют различные типы оперативной памяти. Различные типы оперативной памяти включают разное количество контактов.

Всегда есть что раскрыть. Мы хотели бы привести номера контактов для каждого из баранов, а также важность контактов перед вами. Итак, давайте углубимся в это!

Сколько контактов у моей оперативной памяти?

Существуют разновидности моделей оперативной памяти. Вы должны знать, что разные модели не включают одинаковое количество контактов. Если мы спросим, ​​мы обнаружим, что разные модели RAM включают разное количество контактов. Теперь мы поделимся наиболее распространенными стержнями и количеством контактов, которые они имеют.

Модель барана Пин-код 
Модули SO-DIMM 260 контактов
DDR4 SDRAM 288 контактов
ОЗУ DDR2 204 штифта
ОЗУ DDR3 204 штифта
ОЗУ DDR4 288 контактов
SIMM 30 контактов
DIMM 168 контактов
SDRAM 288 контактов

Это некоторые модели оперативной памяти, которые содержат разное количество контактов. В основном стандарт оперативной памяти зависит от того, сколько контактов она содержит. Вот почему при покупке ПК или ноутбука следует учитывать, сколько контактов имеет оперативная память.

Вы не можете использовать одну и ту же оперативную память для каждого устройства. Есть некоторые ограничения. Например, вы можете использовать 240-контактную оперативную память для компьютеров, а не для ноутбуков. С другой стороны, 204-контактная оперативная память подходит для ноутбуков. Таким образом, вы должны быть осторожны с номером контакта при покупке оперативной памяти, особенно если вы собираете компьютер самостоятельно.

Имеет ли значение количество контактов в оперативной памяти?

Да, но не на каждом этапе. Если вы используете оперативную память DDR4, то ответ на этот вопрос — «нет». Поскольку все модули памяти DDR4 DIMM имеют одинаковые характеристики и качество, стандарт этих модулей памяти одинаков.

С другой стороны, если вы не являетесь пользователем DDR4, то для вас ответ «да». Стандарт другой оперативной памяти зависит от того, сколько контактов она включает. Чем больше пинов, тем больше возможностей вы получите.

Еще одна вещь, которую также следует учитывать, это то, что все виды оперативной памяти совместимы не со всеми устройствами. Вы не можете использовать 204-контактную оперативную память для компьютера, потому что 204-контактная оперативная память подходит только для ноутбука.

Кроме того, вы не можете использовать 240 контактов оперативной памяти для ноутбуков, потому что они предназначены для использования в компьютерах. Таким образом, количество контактов оперативной памяти имеет большое значение. На самом деле, это влияет как на технические характеристики, так и на производительность.

Как найти пин-код RAM на ноутбуке?

Идентификация PIN-кода вашей оперативной памяти очень важна. Вы не можете выполнять многие действия без определения пин-кода. Даже вы не сможете сделать некоторые обновления в будущем, если не знаете пин-код. Итак, мы поделимся процессом, чтобы узнать номер контакта оперативной памяти вашего ноутбука.

Весь процесс довольно прост. Вам просто нужно выполнить несколько шагов, чтобы обнаружить это. Давайте посмотрим на шаги: 

  • Шаг 1. Сначала вам нужно перейти к окну вашего ноутбука. Затем вы увидите раздел системной информации.
  • Шаг 2. В разделе системной информации вы найдете раздел оперативной памяти. Этот раздел содержит всю информацию о вашей оперативной памяти, включая хранилище, PIN-код и так далее.
  • Шаг 3. Узнав PIN-код, вы узнаете, какую оперативную память вы используете на своем ноутбуке. Это позволит вам легко обновить технические характеристики устройства, не удаляя компоненты.

Разница между 204- и 240-контактной оперативной памятью: что лучше?