Сколько контактов на ddr2: Как узнать сколько контактов DDR2 на моей материнской плате ,если когда на планке оперативной памяти,которую я куплю.Форм-фактор FB-DIMM 240-контактн?

Содержание

Частые вопросы — Оперативная память

Что такое форм-фактор модуля памяти?

Форм-фактором называется стандарт, который определяет основные показатели модуля памяти (габариты, число и принцип расположения контактов). На рынке существует следующий ряд форм-факторов памяти, они физически несовместимы между собой: 

  • SIMM;
  • DIMM;
  • FB-DIMM;
  • SODIMM;
  • MicroDIMM;
  • RIMM.

Рассмотрим их подробнее:

SIMM (Single in Line Memory Module). Модули форм-фактора SIMM бывают двух версий: 30-контактные и 72-контактные. Каждый контакт обладает выходом на обе стороны платы.

DIMM (Dual in Line Memory Module). Модули форм-фактора DIMM, обычно, бывают следующих типов: 168-контактные, 184-контактные, 200-контактные и 240-контактные. Независимые контактные площадки располагаются по обе стороны платы. 

FB-DIMM. Данный стандарт модулей памяти используется в серверах. В механическом плане, этот тип модуля идентичен модулям памяти DIMM 240-pin, но при этом категорически несовместим с обычными небуферизованными модулями DDR2 DIMM и DDR2 DIMM (Registered). 

SO-DIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module). Уменьшенная вариация стандарта DIMM. Применяется, в основном, в ноутбуках и устройствах типа Tablet PC. Распространенные модули форм-фактора SO-DIMM — 144-контактные и 200-контактные. Реже встречаются 72- и 168-контактные. 

MicroDIMM (Micro Dual In-Line Memory Module). Еще более уменьшенная в габаритах, по сравнению с SO-DIMM, версия DIMM. В основном, данный форм-фактор устанавливается в субноутбуки. Оснащается 60-контактной площадкой. На рынке существуют следующие варианты MicroDIMM: 144-контактный SDRAM, 172-контактный DDR и 214-контактный DDR2.  

RIMM. Данный форм-фактор распространяется на все модули памяти типа RIMM (RDRAM). На рынке существуют следующие вариации данного форм-фактора: 184-контактная, 168-контактная и 242-контактная. 

Важно: при выборе форм-фактора модуля оперативной памяти, необходимо иметь ввиду, что материнская плата, на которую в дальнейшем будет устанавливаться данная память, должна иметь поддержку выбранного форм-фактора оперативной памяти.

Типы оперативной памяти

Тип — очень важный параметр оперативной памяти. Им определяется ее внутренняя структура и основные характеристики. В настоящее время, на рынке существуют 5 основных типов оперативной памяти: 

  • SDRAM;
  • DDR SDRAM;
  • DDR2 SDRAM;
  • DDR3 SDRAM;
  • RIMM

Рассмотрим подробнее каждый из них:

SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) — синхронная динамическая память, обладающая произвольным доступом. В отличие от типов памяти предыдущих поколений, обладает функцией синхронизации с системным генератором. Это дает возможность контроллеру памяти точно определять время готовности данных, что существенно сокращает временные задержки, возникающие в процессе циклов. В недалеком прошлом, данный тип оперативной памяти широко применялся в ПК, однако сегодня тотально вытеснен с рынка типом DDR и его «последователями». 

DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) — синхронная динамическая память, обладающая случайным доступом и удвоенной скоростью передачи. Ключевым преимуществом типа памяти DDR SDRAM перед типом SDRAM является увеличенная вдвое пропускная способность памяти, при той же тактовой частоте. Так, за один такт системного генератора производится не одна, как в SDRAM, а сразу две операции с данными. Отсюда и название: Double Data Rate (удвоенная скорость передачи данных). 

DDR2 SDRAM — следующее поколение памяти DDR, второе по счету. Являясь эволюционным продолжением DDR, новое поколение сохранило в себе принципы функционирования «предшественника». Ключевое отличие кроется лишь в том, что в новом типе производится выборка 4-х бит данных за один такт, тогда как в первом DDR осуществлялась 2-х битная выборка. Кроме того, DDR2 отличается более низким энергопотреблением, меньшим тепловыделением и большей рабочей частотой. 

DDR3 SDRAM — следующее за DDR2 SDRAM поколение оперативной памяти. В нем применяется та же технология «удвоения частоты», что и в DDR2. Ключевыми отличиями нового поколения памяти от предшествующего являются: возможность работы на более высокой частоте, и меньшее энергопотребление. Модули памяти DDR3 оснащены специальными «ключами», представляющими собой ориентирующие вырезы. Эти вырезы имеют явные отличия от «ключей» модулей памяти DDR2. Так, модули DDR3 и DDR2 не имеют совместимости со старыми слотами. 

RIMM (RDRAM, Rambus DRAM) — синхронная динамическая память. Автором и разработчиком данного стандарта является корпорация Rambus. Главное отличие типа RIMM от DDR-памяти заключается в увеличенной тактовой частоте, которую удалось добиться благодаря сокращению разрядности шины при одновременной передаче номера строки/столбца ячейки в ходе обращения к памяти. Обладая чуть более высокой производительностью, RDRAM, при выходе на рынок, была значительно дороже DDR. Это повлекло за собой практически тотальное вытеснение RIMM с рынка оперативной памяти.

Выбирая оперативную память, пользователь, прежде всего, должен ориентироваться на возможности имеющейся/выбранной материнской платы, поскольку в параметрах «материнки» заложена совместимость с тем или иным модулем памяти.

Что такое упаковка чипов?

Это определенный характер расположения чипов на модуле памяти. Модули могут быть как с односторонней, так и с двусторонней упаковкой. Когда микросхемы установлены с обеих сторон модуля, толщина модуля, соответственно, увеличивается. Физически, такие модули не могут устанавливаться в некоторые системы.

Что такое тактовая частота?

Тактовая частота — это максимальная частота системного генератора, на которой синхронизируются процессы приема/передачи информации.

В типе памяти DDR (а также DDR2 и DDR3) указывается двойное значение тактовой частоты. Это делается потому, что за один такт осуществляется две операции с данными.

Чем выше тактовая частота, тем большее количество операций производится за единицу времени. Это дает возможность приложениям достигнуть более стабильной и быстрой работы. При прочих равных параметрах, память с более высокой тактовой частотой обладает более высокой стоимостью.

Что такое совместимость модуля памяти?

Некоторые модули памяти предназначаются исключительно для определенных ПК и ноутбуков. Это — специальные модули, выпускаемые производителями строго для определенных моделей. Однако, существуют и модули широкого применения, которые доступны для установки на различного рода компьютеры.

Что такое радиатор модуля памяти?

Это специальные металлические пластины, установленные на микросхемах памяти. Основной их функцией является улучшение теплоотдачи системы. Обычно, радиаторы устанавливаются непосредственно на модули. Однако, монтировать их имеет смысл только на высокочастотные модули памяти.

Что такое пропускная способность модуля памяти?
Это тот объем информации, который может быть передан или получен за 1 секунду времени. Данный показатель в модуле памяти напрямую зависит от тактовой частоты. Чтобы рассчитать его, нужно умножить показатель тактовой частоты на ширину шины. Так, чем выше пропускная способность, тем выше скорость работы памяти, и соответственно, выше цена самого модуля (при идентичности всех остальных параметров).
Поддержка ECC

ECC (Error Checking and Correction) — алгоритм, способный обнаруживать и исправлять случайные ошибки, возникшие в результате передачи данных в системе оперативной памяти. Ошибка не должна превышать 1 бит в байте.

Некоторые материнские платы рабочих станций имеют поддержку технологии ECC. Также, ею обладают почти все без исключения серверные платы.

Модули памяти с технологией ECC отличаются более высокой стоимостью, в сравнении с обычными модулями.

Объем памяти одного модуля

Рассчитать общий объем памяти можно, сложив объемы установленных в систему модулей памяти.

Обычному офисному компьютеру для работы в Интернете и простых приложениях хватит 512 Мб. Для комфортной работы с графическими приложениями потребуется 1 Гб (1024 Мб) памяти. Сложные графические программы, а также «тяжелые» компьютерные игры будут должным образом функционировать при 2 Гб (2048 Мб) памяти и выше.

Диапазон объема памяти одного модуля: от 0.03125 до 32.0 Гб.

Низкопрофильный модуль памяти

Модуль памяти уменьшенной (по сравнению с габаритами стандартного модуля) высоты.  Как правило, устанавливается в серверные корпуса с заниженным профилем (Low Profile).

Напряжение питания модуля памяти

Каждый модуль оперативной памяти рассчитан на определенный показатель напряжения питания. Вот почему при выборе модуля памяти важно проверить поддержку вашей материнской платой требуемого напряжения питания.

Число чипов на модуле памяти

На одном модуле памяти может располагаться определенное количество чипов. Микросхемы этих чипов могут быть установлены как с одной, так и с обеих сторон платы модуля.

Диапазон количества чипов каждого модуля памяти: от 1 до 72.

Число ранков модуля памяти

Ранк — это область памяти, создаваемая чипами ее модуля. Обладает шириной 64 бита (72 бита, при наличии поддержки ECC).

В зависимости от конструкции, в модуле может быть расположено 1, 2 или 4 ранка.

В настоящее время, все серверные материнские платы обладают ограничением на суммарное количество ранков памяти. К примеру, если в материнской плате может быть установлено максимум 8 ранков или 4 двухранковых модуля, то свободные слоты не будут поддерживать дополнительные модули, поскольку это приведет к превышению установленного ограничения. Вот почему цена одноранковых модулей выше, в сравнении с 2-х- и 4-ранковыми.

Число модулей в комплекте

Модули памяти могут продаваться в наборе. На рынке, помимо одиночных планок, нередко встречаются комплекты по 2, 4, 6, 8 модулей памяти, обладающих идентичными характеристиками. Эти комплекты специально подобраны для работы в двухканальном режиме.

Применение двухканального режима значительно увеличивает пропускную способность оперативной памяти. Таким образом, увеличивается и скорость работы запущенных приложений. Тем пользователям, которым необходима высокая скорость работы игровых и графических приложений, следует обратить особое внимание именно на такие наборы модулей памяти.

При покупке отдельных модулей памяти, важно помнить, что модули даже с идентичными характеристиками, от одного производителя, но приобретенные по отдельности, могут не сработать в паре. При этом необходимо учитывать, что сама материнская плата должна иметь поддержку двухканального режима работы памяти.

Число контактов в модуле памяти

Каждый модуль памяти обладает своим количеством расположенных на нем контактных площадок. Число контактов, находящихся в слоте оперативной памяти материнской платы, обязано совпадать с числом контактов на модуле.

Помимо идентичного количества контактов, совпадать должны и вырезы (ключи, препятствующие некорректной установке).

Диапазон количества контактов модуля памяти: от 144 до 244.

Что такое буферизованный модуль памяти?

Модуль памяти может оснащаться специальными буферами (регистрами). Эти буферы довольно-таки быстро производят сохранение поступивших в них данных, а также сокращают нагрузку на систему синхронизации, давая дополнительное свободное пространство контроллеру памяти.

Установленный между контроллером и чипами памяти буфер образует дополнительную задержку в ходе выполнения операций. Эта задержка составляет обычно 1 такт. Так, показателя высокой надежности можно добиться лишь путем сокращения (пускай и незначительного) быстродействия памяти.

Буферизированные модули памяти отличаются весьма высокой стоимостью и применяются в основном в серверах. Следует также отметить, что буферизованная и небуферизованная память не имеет между собой совместимости.

Что такое tRP?

tRP — это количество тактов между командой закрытия строки и командой открытия следующей строки. По сути, этот показатель определяет то время, которое необходимо для чтения первого бита памяти при другой активной строке: TRP + TRCD + CL.

Row Precharge Delay. Данный параметр определяет время повторной выдачи сигнала RAS. За это время контроллер памяти способен повторно выдать сигнал инициализации адреса строки.

Что такое tRCD?

tRCD — это количество тактов между командой открытия строки и непосредственным доступом к ее столбцам. Данный показатель включает в себя время, которое необходимо для чтения первого бита памяти, без активной строки: TRCD + CL.

RAS to CAS Delay — время задержки между определяющими сигналами адреса строки/столбца.

Что такое tRAS?

tRAS — это количество тактов между командой на открытие банка и командой на заряд. Это то время  которое требуется на обновление строки. Данный показатель сочетается с показателем TRCD.

Activate to Precharge Delay — минимальное число циклов между активацией (RAS) и подзарядкой (Precharge) одного и того же банка памяти.

Что такое CAS Latency (CL)?

Данный показатель обозначает временную задержку между отправкой адреса строки/столбца в память и моментом запуска процесса передачи данных. Это время, которое необходимо для чтения первого бита памяти при открытой нужной строке.

CAS — число тактов от момента запроса данных до момента их считывания. Является одной из ключевых характеристик модуля памяти. По сути, данный показатель определяет ее быстродействие. Чем ниже показатель CL, тем выше работоспособность памяти.

Распиновка разъёмов оперативной памяти SIMM, SDRAM, RDRAM, DDR1, DDR2, DDR3

  • Список рубрик
  • Последние новости
  • 25/12/2022

    720

    Подробнее

  • 01/12/2022

    559

    Подробнее

  • 04/08/2022

    958

    Подробнее

  • 26/07/2022

    990

    Подробнее

  • 22/07/2022

    1. 1 K

    Подробнее

  • Теги этой статьи
  • ddr1
  • ddr2
  • ddr3
  • rdram
  • sdram
  • simm
  • оперативная
  • память
  • разъём
  • распиновка
  • Самые популярные статьи
  • Новые статьи на сайте

07/10/2017

21.2 K

ddr1, ddr2, ddr3, rdram, sdram, simm, оперативная

Память DDR SDRAM DIMM (184 pin, Unbuffered)

Модуль памяти DDR SDRAM DIMM (184 pin, Unbuffered)

Нажмите для увеличения изображения

Нажмите для увеличения изображения

Распиновка разъёма DDR SDRAM DIMM (184 pin, Unbuffered)

Slot pin #NameDescription
1VREFPower supply for reference
2DQ0Data input / output
3VSSGround
4DQ1Data input / output
5DQS0Data strobe input / output
6DQ2Data input / output
7VDDPower supply (2,5V)
8DQ3Data input / output
9NCNot connected
10NCNot connected
11VSSGround
12DQ8Data input / output
13DQ9Data input / output
14DQS1Data strobe input / output
15VDDPower supply (2,5V)
16CK1Clock input
17CK1#Clock input
18VSSGround
19DQ10Data input / output
20DQ11Data input / output
21CKE0Clock enable input
22VDDPower supply (2,5V)
23DQ16Data input / output
24DQ17Data input / output
25DQS2Data strobe input / output
26VSSGround
27A9Address input (multiplexed)
28DQ18Data input / output
29A7Address input (multiplexed)
30VDDPower supply (2,5V)
31DQ19Data input / output
32A5Address input (multiplexed)
33DQ24Data input / output
34VSSGround
35DQ25Data input / output
36DQS3Data strobe input / output
37A4Address input (multiplexed)
38VDDPower supply (2,5V)
39DQ26Data input / output
40DQ27Data input / output
41A2Address input (multiplexed)
42VSSGround
43A1Address input (multiplexed)
44CB0Not connected
45CB1Not connected
46VDDPower supply (2,5V)
47DQS8Data strobe input / output
48A0Address input (multiplexed)
49CB2Not connected
50VSSGround
51CB3Not connected
52BA1Bank select address
53DQ32Data input / output
54VDDPower supply (2,5V)
55DQ33Data input / output
56DQS4Data strobe input / output
57DQ34Data input / output
58VSSGround
59BA0Bank select address
60DQ35Data input / output
61DQ40Data input / output
62VDDPower supply (2,5V)
63WE#Write enable
64DQ41Data input / output
65CAS#Column address strobe
66VSSGround
67DQS5Data strobe input / output
68DQ42Data input / output
69DQ43Data input / output
70VDDPower supply (2,5V)
71NCNot connected
72DQ48Data input / output
73DQ49Data input / output
74VSSGround
75CK2#Clock input
76CK2Clock input
77VDDPower supply (2,5V)
78DQS6Data strobe input / output
79DQ50Data input / output
80DQ51Data input / output
81VSSGround
82NCNot connected
83DQ56Data input / output
84DQ57Data input / output
85VDDPower supply (2,5V)
86DQS7Data strobe input / output
87DQ58Data input / output
88DQ59Data input / output
89VSSGround
90NCNot connected
91SDASerial data I/O
92SCLSerial clock
93VSSGround
94DQ4Data input / output
95DQ5Data input / output
96VDDPower supply (2,5V)
97DQS9Data strobe input / output
98DQ6Data input / output
99DQ7Data input / output
100VSSGround
101NCNot connected
102NCNot connected
103NCNot connected
104VDDPower supply (2,5V)
105DQ12Data input / output
106DQ13Data input / output
107DQS10Data strobe input / output
108VDDPower supply (2,5V)
109DQ14Data input / output
110DQ15Data input / output
111CKE1Clock enable input
112VDDPower supply (2,5V)
113NCNot connected
114DQ20Data input / output
115A12Address input (multiplexed)
116VSSGround
117DQ21Data input / output
118A11Address input (multiplexed)
119DQS11Data strobe input / output
120VDDPower supply (2,5V)
121DQ22Data input / output
122A8Address input (multiplexed)
123DQ23Data input / output
124VSSGround
125A6Address input (multiplexed)
126DQ28Data input / output
127DQ29Data input / output
128VDDPower supply (2,5V)
129DQS12Data strobe input / output
130A3Address input (multiplexed)
131DQ30Data input / output
132VSSGround
133DQ31Data input / output
134CB4Not connected
135CB5Not connected
136VDDPower supply (2,5V)
137CK0Clock input
138CK0#Clock input
139VSSGround
140DQS17Data strobe input / output
141A10Address input (multiplexed)
142CB6Not connected
143VDDPower supply (2,5V)
144CB7Not connected
145VSSGround
146DQ36Data input / output
147DQ37Data input / output
148VDDPower supply (2,5V)
149DQS13Data strobe input / output
150DQ38Data input / output
151DQ39Data input / output
152VSSGround
153DQ44Data input / output
154RAS#Row address strobe
155DQ45Data input / output
156VDDPower supply (2,5V)
157S0#Chip select input
158S1#Chip select input
159DQS14Data strobe input / output
160VSSGround
161DQ46Data input / output
162DQ47Data input / output
163NCNot connected
164VDDPower supply (2,5V)
165DQ52Data input / output
166DQ53Data input / output
167NCNot connected
168VDDPower supply (2,5V)
169DQS15Data strobe input / output
170DQ54Data input / output
171DQ55Data input / output
172VDDPower supply (2,5V)
173NCNot connected
174DQ60Data input / output
175DQ61Data input / output
176VSSGround
177DQS16Data strobe input / output
178DQ62Data input / output
179DQ63Data input / output
180VDDPower supply (2,5V)
181SA0Address in EEPROM
182SA1Address in EEPROM
183SA2Address in EEPROM
184VDDSPDSerial EEPROM power supply (2,3-3,6V)

 

Память DDR2 SDRAM DIMM Unbuffered Module (240 pin)

Модуль памяти DDR2 SDRAM DIMM (240 pin, Unbuffered)

Нажмите для увеличения изображения

Разъём 240 pin DDR2

Нажмите для увеличения изображения

Распиновка разъёма 240 pin DDR2

Контакт #ОписаниеКонтакт #Описание
1VREF121VSS
2VSS122DQ4
3DQ0123DQ5
4DQ1124VSS
5VSS125DM0
6/DQS0126NC
7DQS0127VSS
8VSS128DQ6
9DQ2129DQ7
10DQ3130VSS
11VSS131DQ12
12DQ8132DQ13
13DQ9133VSS
14VSS134DM1
15/DQS1135NC
16DQS1136VSS
17VSS137CK1
18NC138/CK1
19NC139VSS
20VSS140DQ14
21DQ10141DQ15
22DQ11142VSS
23VSS143DQ20
24DQ16144DQ21
25DQ17145VSS
26VSS146DM2
27/DQS2147NC
28DQS2148VSS
29VSS149DQ22
30DQ18150DQ23
31DQ19151VSS
32VSS152DQ28
33DQ24153DQ29
34DQ25154VSS
35VSS155DM3
36/DQS3156NC
37DQS3157VSS
38VSS158DQ30
39DQ26159DQ31
40DQ27160VSS
41VSS161NC
42NC162NC
43NC163VSS
44VSS164NC
45NC165NC
46NC166VSS
47VSS167NC
48NC168NC
49NC169VSS
50VSS170VDDQ
51VDDQ171CKE1
52CKE0172VDD
53VDD173NC
54NC174NC
55NC175VDDQ
56VDDQ176A12
57A11177A9
58A7178VDD
59VDD179A8
60A5180A6
61A4181VDDQ
62VDDQ182A3
63A2183A1
64VDD184VDD
KEY (Ключ)
65VSS185CK0
66VSS186/CK0
67VDD187VDD
68NC188A0
69VDD189VDD
70A10/AP190BA1
71BA0191VDDQ
72VDDQ192/RAS
73/WE193/CS0
74/CAS194VDDQ
75VDDQ195ODT0
76/CS1196A13
77ODT1197VDD
78VDDQ198VSS
79VSS199DQ36
80DQ32200DQ37
81DQ33201VSS
82VSS202DM4
83/DQS4203NC
84DQS4204VSS
85VSS205DQ38
86DQ34206DQ39
87DQ35207VSS
88VSS208DQ44
89DQ40209DQ45
90DQ41210VSS
91VSS211DM5
92/DQS5212NC
93DQS5213VSS
94VSS214DQ46
95DQ42215DQ47
96DQ43216VSS
97VSS217DQ52
98DQ48218DQ53
99DQ49219VSS
100VSS220CK2
101SA2221/CK2
102NC222VSS
103VSS223DM6
104/DQS6224NC
105DQS6225VSS
106VSS226DQ54
107DQ50227DQ55
108DQ51228VSS
109VSS229DQ60
110DQ56230DQ61
111DQ57231VSS
112VSS232DM7
113/DQS7233NC
114DQS7234VSS
115VSS235DQ62
116DQ58236DQ63
117DQ59237VSS
118VSS238VDDSPD
119SDA239SA0
120SCL240SA1

Описание контактов и другую информацию по распиновке DDR2 можно найти в документации к модулям памяти DDR2 Micron.

 

Память DDR3 SDRAM DIMM Unbuffered Module (240 pin)

Модуль памяти DDR3 SDRAM DIMM (240 pin, Unbuffered)

Нажмите для увеличения изображения

Разъём 240 pin DDR3

Нажмите для увеличения изображения

Описание контактов и другую информацию по распиновке можно найти в документации к модулям памяти DDR3 Micron.

Распиновка разъёма 240 pin DDR3

Нажмите для увеличения изображения

Источник: radio-hobby.org

Теги этой статьи
  • ddr1
  • ddr2
  • ddr3
  • rdram
  • sdram
  • simm
  • оперативная
  • память
  • разъём
  • распиновка

Близкие по теме статьи:

Проверяем microSD SD карты памяти, реальный объём, скорость чтения и записи

7.8 K

h3testw, microsd, usb, карта, память, флэшка

Читать

Распиновка оперативной памяти DDR4 для настольных ПК

11. 8 K

ddr4, земля, контакты, общий, оперативки, памяти, питание

Читать

Распиновка разъёмов матриц для ноутбуков. 20pin, 30 pin, 40pin, 50pin.

21.4 K

20pin, 30pin, 40pin, 50pin, pinouts, матрица, ноутбук

Читать

Распиновка разъёмов оперативной памяти ноутбука. (SIMM, SDRAM, RDRAM, DDR1, DDR2, DDR3)

7.9 K

ddr, ddr2, ddr3, dimm, microdimm, pc100, pc133

Читать

Типы оперативной памяти. Память небуферизированная, память с ECC, память регистровая с ECC. В чём отличия.

24.8 K

ecc, memory, registered, буфер, микросхем, ошибок, память

Читать

Интересное в новостях

25/12/2022 11:38

720

Сначала у их подвала было два выхода – во второй и четвертый подъезд. Но к середине марта выходы уже были завалены, и люди пробирались в укрытие и выбирались из него через узкий лаз. Старикам и детям…

Читать полностью

01/12/2022 12:00

559

Момент бомбового удара авиации российских оккупантов по драматическому театру 16 марта 2022 г. в городе Мариуполь, Украина, унёсшего жизни нескольких сотен горожан (женщин и детей).

Читать полностью

04/08/2022 12:50

958

Из Крыма приехали волонтёры в Мариуполь и привезли гуманитарную помощь для оставшихся в городе жителей, немного пообщались с пожилыми жителями города, мамочками с детьми и другими, кто нуждается в помощи….

Читать полностью

Компьютерный мирSector

Вся информация на страницах сайта предназначена только для личного не коммерческого использования, учёбы, повышения квалификации и не включает призывы к каким либо действиям.

Частичное или полное использование материалов сайта разрешается только при условии добавления ссылки на непосредственный адрес материала на нашем сайте.

Это интересно

Узнайте о модулях компьютерной памяти – centonelectronics

SDRAM является синхронной, и поэтому использует часы для синхронизации сигналов, создавая предсказуемые упорядоченные циклы выборки и записи данных. Однако SDRAM передает данные по одному фронту тактовой частоты. DDR SDRAM означает, что этот тип SDRAM извлекает данные как по переднему, так и по заднему фронту тактового сигнала, который регулирует его, отсюда и название «Двойная скорость передачи данных». До DDR RAM извлекала данные только один раз за такт. Синхронные данные обеспечивают более быструю работу при координации выборки памяти с требованиями процессора.

Многие люди называют оперативную память процессора просто «DDR», используя эти термины взаимозаменяемо, поскольку DDR ​​так широко используется в качестве оперативной памяти процессора с конца 1990-х годов. DDR — это не флэш-память, подобная той, которая используется для твердотельных накопителей (SSD), карт Secure Digital (SD) или накопителей с универсальной последовательной шиной (USB). Память DDR энергозависима, что означает, что она теряет все при отключении питания.

Оперативная память DDR1

Выпущена в 2000 г., не использовалась почти до 2002 г. Работала при напряжении 2,5 В и 2,6 В, а ее максимальная плотность составляла 128 Мб (поэтому модулей более 1 Гб не было ) со скоростью 266 МТ/с (100-200 МГц).

ОЗУ DDR2

Выпущенный примерно в 2004 году, он работал при напряжении 1,8 В, что на 28% меньше, чем у DDR1. Его максимальная плотность была удвоена до 256 Мб (2 Гб на модуль). Логично, что и максимальная скорость приумножилась, достигнув 533 МГц.

ОЗУ DDR3

Этот выпуск вышел в 2007 году, и здесь были реализованы профили XMP. Начнем с того, что модули памяти работали при напряжении 1,5 В и 1,65 В, с базовой частотой 1066 МГц, а плотность достигала 8 ГБ на модуль.

• (XMP или Extreme Memory Profiles — это технология Intel, которая позволяет изменять несколько параметров памяти, просто выбирая другой профиль, используя более высокие, чем стандартные, скорости памяти)

ОЗУ DDR4

Это не поступать до 2014 года, но на сегодняшний день он является самым распространенным. Напряжение снижено до 1,05 и 1,2В, хотя многие модули работают при 1,35В. Скорость была заметно увеличена, и с каждым разом с завода выпускается более быстрая память, но ее базовая частота начиналась с 2133 МГц. На данный момент уже есть модули на 32 Гб, но и это понемногу расширяется.

Стандарт

Рабочее напряжение

Тактовые частоты связанной оперативной памяти

DDR SDRAM (2000)

9005 2 SDRAM 3 (2003 г.)

DDR3 SDRAM (2007 г.)

DDR4 SDRAM (2014)

2,6 В, 2,5 В

1,8 В, 1,55 В

1,5 В, 1,35 В

100–200 МГц

9002 9003

2000 – 400 МГц – 1066 МГц

1066 – 1600 МГц

Физические различия

Хотя эти четыре типа памяти имеют формат DIMM и могут выглядеть очень похоже (на самом деле все они имеют длину 133,35 мм). Существуют фундаментальные физические различия, из-за которых вы не можете подключить модуль оперативной памяти DDR1 к разъему DDR2.

Все модули имеют отверстие в области контактов, что предотвратит их подключение к розеткам другого поколения.

Наконец, следует отметить, что в каждом поколении количество контактов менялось следующим образом:

Самая большая разница от поколения к поколению оперативной памяти заключалась в производительности. По мере развития и совершенствования технологий мы обычно наблюдаем удвоение для каждого выпуска.

DDR5 SDRAM — следующий стандарт, предложенный для удвоения скорости DDR4 SDRAM. По данным Ассоциации твердотельных технологий JEDEC, которая является стандартом для DDR SDRAM, «стандарт JEDEC DDR5 в настоящее время находится в разработке в комитете JEDEC JC-42 по твердотельным запоминающим устройствам. JEDEC DDR5 предлагает улучшенную производительность с большей энергоэффективностью по сравнению с технологиями DRAM предыдущего поколения. Как и планировалось, DDR5 обеспечит удвоенную пропускную способность и плотность по сравнению с DDR4, а также повысит эффективность канала».

Сколько контактов у моей оперативной памяти? Давайте проясним путаницу!

Знакомы ли вы с тем фактом, что ваша оперативная память включает контакты? У каждого типа оперативной памяти есть контакты. Это основные части оперативной памяти, которые дают ей питание для точной работы. Но многие из нас не знают, сколько контактов присутствует в оперативной памяти компьютера.

Итак, сколько контактов у моей оперативной памяти? Короче говоря, DDR4 SDRAM имеет 288 контактов, которые используются большинством людей. Кроме того, SO-DIMMS, ОЗУ DDR2, ОЗУ DDR3 и ОЗУ DDR4 имеют 260 контактов, 204 контакта, 204 контакта (аналогично ОЗУ DDR2) и 288 контактов соответственно.

Существуют различные типы оперативной памяти. Различные типы оперативной памяти включают разное количество контактов.

Всегда есть что раскрыть. Мы хотели бы привести номера контактов для каждого из баранов, а также важность контактов перед вами. Итак, давайте углубимся в это!

Сколько контактов у моей оперативной памяти?

Существуют разновидности моделей оперативной памяти. Вы должны знать, что разные модели не включают одинаковое количество контактов. Если мы спросим, ​​мы обнаружим, что разные модели RAM включают разное количество контактов. Теперь мы поделимся наиболее распространенными стержнями и количеством контактов, которые они имеют.

Модель барана Пин-код 
Модули SO-DIMM 260 контактов
DDR4 SDRAM 288 контактов
ОЗУ DDR2 204 штифта
ОЗУ DDR3 204 штифта
ОЗУ DDR4 288 контактов
SIMM 30 контактов
DIMM 168 контактов
SDRAM 288 контактов

Это некоторые модели оперативной памяти, которые содержат разное количество контактов. В основном стандарт оперативной памяти зависит от того, сколько контактов она содержит. Вот почему при покупке ПК или ноутбука следует учитывать, сколько контактов имеет оперативная память.

Вы не можете использовать одну и ту же оперативную память для каждого устройства. Есть некоторые ограничения. Например, вы можете использовать 240-контактную оперативную память для компьютеров, а не для ноутбуков. С другой стороны, 204-контактная оперативная память подходит для ноутбуков. Таким образом, вы должны быть осторожны с номером контакта при покупке оперативной памяти, особенно если вы собираете компьютер самостоятельно.

Имеет ли значение количество контактов в оперативной памяти?

Да, но не на каждом этапе. Если вы используете оперативную память DDR4, то ответ на этот вопрос — «нет». Поскольку все модули памяти DDR4 DIMM имеют одинаковые характеристики и качество, стандарт этих модулей памяти одинаков.

С другой стороны, если вы не являетесь пользователем DDR4, то для вас ответ «да». Стандарт другой оперативной памяти зависит от того, сколько контактов она включает. Чем больше пинов, тем больше возможностей вы получите.

Еще одна вещь, которую также следует учитывать, это то, что все виды оперативной памяти совместимы не со всеми устройствами. Вы не можете использовать 204-контактную оперативную память для компьютера, потому что 204-контактная оперативная память подходит только для ноутбука.

Кроме того, вы не можете использовать 240 контактов оперативной памяти для ноутбуков, потому что они предназначены для использования в компьютерах. Таким образом, количество контактов оперативной памяти имеет большое значение. На самом деле, это влияет как на технические характеристики, так и на производительность.

Как найти пин-код RAM на ноутбуке?

Идентификация PIN-кода вашей оперативной памяти очень важна. Вы не можете выполнять многие действия без определения пин-кода. Даже вы не сможете сделать некоторые обновления в будущем, если не знаете пин-код. Итак, мы поделимся процессом, чтобы узнать номер контакта оперативной памяти вашего ноутбука.

Весь процесс довольно прост. Вам просто нужно выполнить несколько шагов, чтобы обнаружить это. Давайте посмотрим на шаги: 

  • Шаг 1. Сначала вам нужно перейти к окну вашего ноутбука. Затем вы увидите раздел системной информации.
  • Шаг 2. В разделе системной информации вы найдете раздел оперативной памяти. Этот раздел содержит всю информацию о вашей оперативной памяти, включая хранилище, PIN-код и так далее.
  • Шаг 3. Узнав PIN-код, вы узнаете, какую оперативную память вы используете на своем ноутбуке. Это позволит вам легко обновить технические характеристики устройства, не удаляя компоненты.

Разница между 204- и 240-контактной оперативной памятью: что лучше?

Как вы знаете, не вся оперативная память имеет одинаковые характеристики, очевидно, между 204-контактной и 240-контактной оперативной памятью есть существенные различия. Итак, какой из них вы действительно должны использовать? Ответ на этот вопрос зависит от ваших потребностей.

Если вы используете ноутбук, вам следует использовать 204-контактную оперативную память. Потому что ноутбук нельзя использовать без 204-контактной оперативной памяти. С другой стороны, компьютер нельзя использовать с 204-контактным ОЗУ, поскольку для него требуется 240-контактное ОЗУ.

Хотя разница зависит от устройства, некоторые характеристики делают 240-контактное ОЗУ лучше, чем 204-контактное ОЗУ. Для первого примера мы можем сказать, что 240-контактная RAM не имеет обратной совместимости с 204-контактной RAM.

Кроме того, здесь большое значение имеет скорость. Новая 240-контактная оперативная память намного лучше, потому что скорость этой оперативной памяти невероятна. Таким образом, мы можем сказать, что 240-контактная оперативная память намного лучше, чем 204-контактная. Но все же выбор зависит от ваших потребностей.

Как узнать свой PIN-код RAM?

Опять же, вам нужно выполнить несколько шагов, чтобы выполнить этот процесс. Вот что вы можете сделать: 

  1. Сначала откройте свой компьютер или ноутбук.
  2. Затем вы должны ввести командную строку.
  3. Нажмите на верхний результат и выберите параметр «Запуск от имени администратора».
  4. Затем вы увидите раздел с именем RAM. В этом разделе вы найдете все важные характеристики и информацию о вашей оперативной памяти.

Подведение итогов:

Оперативная память — самая важная часть вашего устройства. Вся система хранения зависит от оперативной памяти.

Мы надеемся, что вы уже знаете о том, сколько булавок у моего барана? Знание количества контактов, которое включает в себя ваша оперативная память, необходимо либо для обновления, либо для того, чтобы узнать точные характеристики вашего устройства.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *