Ir2127 схема включения: Ir2127 схема включения

Использование драйвера ключей нижнего и верхнего уровней IR2110 — объяснение и примеры схем / Хабр

Быть может, после прочтения этой статьи вам не придётся ставить такие же по размерам радиаторы на транзисторы.

Перевод этой статьи.

Небольшое обращение от переводчика:

Во-первых, в данном переводе могут быть серьёзные проблемы с переводом терминов, я не занимался электротехникой и схемотехникой достаточно, но всё же что-то знаю; также я пытался перевести всё максимально понятно, поэтому не использовал такие понятия, как бутсрепный, МОП-транзистор и т.п. Во-вторых, если орфографически сейчас уже сложно сделать ошибку (хвала текстовым процессорам с указанием ошибок), то ошибку в пунктуации сделать довольно-таки просто.

И вот по этим двум пунктам прошу пинать меня в комментариях как можно сильнее.

Теперь поговорим уже больше о теме статьи — при всём многообразии статей о построении различных транспортных средств наземного вида (машинок) на МК, на Arduino, на <вставить название>, само проектирование схемы, а тем более схемы подключения двигателя не описывается достаточно подробно. Обычно это выглядит так:

— берём двигатель

— берём компоненты

— подсоединяем компоненты и двигатель

— …

— PROFIT!1!

Но для построения более сложных схем, чем для простого кручения моторчика с ШИМ в одну сторону через L239x, обычно требуется знание о полных мостах (или H-мостах), о полевых транзисторах (или MOSFET), ну и о драйверах для них. Если ничто не ограничивает, то можно использовать для полного моста p-канальные и n-канальные транзисторы, но если двигатель достаточно мощный, то p-канальные транзисторы придётся сначала обвешивать большим количеством радиаторов, потом добавлять кулеры, ну а если совсем их жалко выкидывать, то можно попробовать и другие виды охлаждения, либо просто использовать в схеме лишь n-канальные транзисторы. Но с n-канальными транзисторами есть небольшая проблема — открыть их «по-хорошему» подчас бывает довольно сложно.

Поэтому я искал что-нибудь, что мне поможет с составлением правильной схемы, и я нашёл статью в блоге одного молодого человека, которого зовут Syed Tahmid Mahbub. Этой статьёй я и решил поделится.

Во многих ситуациях мы должны использовать полевые транзисторы как ключи верхнего уровня. Также во многих ситуациях мы должны использовать полевые транзисторы как ключи как и верхнего, так и нижнего уровней. Например, в мостовых схемах. В неполных мостовых схемах у нас есть 1 MOSFET верхнего уровня и 1 MOSFET нижнего уровня. В полных мостовых схемах мы имеем 2 MOSFETа верхнего уровня и 2 MOSFETа нижнего уровня. В таких ситуациях нам понадобится использовать драйвера как высокого, так и низкого уровней вместе. Наиболее распространённым способом управления полевыми транзисторами в таких случаях является использование драйвера ключей нижнего и верхнего уровней для MOSFET. Несомненно, самым популярным микросхемой-драйвером является IR2110. И в этой статье/учебнике я буду говорить о именно о нём.

Вы можете загрузить документацию для IR2110 с сайта IR. Вот ссылка для загрузки: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/ir2110. pdf

Давайте для начала взглянем на блок-схему, а также описание и расположение контактов:

Рисунок 1 — Функциональная блок-схема IR2110

Рисунок 2 — Распиновка IR2110

Рисунок 3 — Описание пинов IR2110

Также стоит упомянуть, что IR2110 выпускается в двух корпусах — в виде 14-контактного PDIP для выводного монтажа и 16-контактного SOIC для поверхностного монтажа.

Теперь поговорим о различных контактах.

VCC — это питание нижнего уровня, должно быть между 10В и 20В. VDD — это логическое питание для IR2110, оно должно быть между +3В и +20В (по отношению к VSS). Фактическое напряжение, которое вы выберете для использования, зависит от уровня напряжения входных сигналов. Вот график:

Рисунок 4 — Зависимость логической 1 от питания

Обычно используется VDD равное +5В. При VDD = +5В, входной порог логической 1 немного выше, чем 3В. Таким образом, когда напряжение VDD = +5В, IR2110 может быть использован для управления нагрузкой, когда вход «1» выше, чем 3 (сколько-то) вольт. Это означает, что IR2110 может быть использован почти для всех схем, так как большинство схем, как правило, имеют питание примерно 5В. Когда вы используете микроконтроллеры, выходное напряжение будет выше, чем 4В (ведь микроконтроллер довольно часто имеет VDD = +5В). Когда используется SG3525 или TL494 или другой ШИМ-контроллер, то, вероятно, придётся их запитывать напряжением большим, чем 10В, значит на выходах будет больше, чем 8В, при логической единице. Таким образом, IR2110 может быть использован практически везде.

Вы также можете снизить VDD примерно до +4В, если используете микроконтроллер или любой чип, который даёт на выходе 3.3В (например, dsPIC33). При проектировании схем с IR2110, я заметил, что иногда схема не работает должным образом, когда VDD у IR2110 был выбран менее + 4В. Поэтому я не рекомендую использовать VDD ниже +4В. В большинстве моих схем уровни сигнала не имеют напряжение меньше, чем 4В как «1», и поэтому я использую VDD = +5V.

Если по каким-либо причинам в схеме уровень сигнала логической «1» имеет напряжение меньшее, чем 3В, то вам нужно использовать преобразователь уровней/транслятор уровней, он будет поднимать напряжение до приемлемых пределов. В таких ситуациях я рекомендую повышение до 4В или 5В и использование у IR2110 VDD = +5В.

Теперь давайте поговорим о VSS и COM. VSS это земля для логики. COM это «возврат низкого уровня» — в основном, заземление низкого уровня драйвера. Это может выглядеть так, что они являются независимыми, и можно подумать что, пожалуй, было бы возможно изолировать выходы драйвера и сигнальную логику драйвера. Тем не менее, это было бы неправильно. Несмотря на то что внутренне они не связаны, IR2110 является неизолированным драйвером, и это означает, что VSS и COM должны быть оба подключены к земле.

HIN и LIN это логические входы. Высокий сигнал на HIN означает, что мы хотим управлять верхним ключом, то есть на HO осуществляется вывод высокого уровня. Низкий сигнал на HIN означает, что мы хотим отключить MOSFET верхнего уровня, то есть на HO осуществляется вывод низкого уровня. Выход в HO, высокий или низкий, считается не по отношению к земле, а по отношению к VS. Мы скоро увидим, как усилительные схемы (диод + конденсатор), используя VCC, VB и VS, обеспечивают плавающее питания для управления MOSFETом. VS это плавающий возврат питания. При высоком уровне, уровень на HO равен уровню на VB, по отношению к VS. При низком уровне, уровень на HO равнен VS, по отношению к VS, фактически нулю.

Высокий сигнал LIN означает, что мы хотим управлять нижним ключом, то есть на LO осуществляется вывод высокого уровня. Низкий сигнал LIN означает, что мы хотим отключить MOSFET нижнего уровня, то есть на LO осуществляется вывод низкого уровня. Выход в LO считается относительно земли. Когда сигнал высокий, уровень в LO такой же как и в VCC, относительно VSS, фактически земля. Когда сигнал низкий, уровень в LO такой же как и в VSS, относительно VSS, фактически нуль.

SD используется в качестве контроля останова. Когда уровень низкий, IR2110 включен — функция останова отключена. Когда этот вывод является высоким, выходы выключены, отключая управление IR2110.

Теперь давайте взглянем на частые конфигурации с IR2110 для управления MOSFETами как верхних и нижних ключей — на полумостовые схемы.

Рисунок 5 — Базовая схема на IR2110 для управления полумостом

D1, C1 и C2 совместно с IR2110 формируют усилительную цепь. Когда LIN = 1 и Q2 включен, то C1 и С2 заряжаются до уровня VB, так как один диод расположен ниже +VCC. Когда LIN = 0 и HIN = 1, заряд на C1 и С2 используется для добавления дополнительного напряжения, VB в данном случае, выше уровня источника Q1 для управления Q1 в конфигурации верхнего ключа. Достаточно большая ёмкость должна быть выбрана у C1 для того чтобы её хватило для обеспечения необходимого заряда для Q1, чтобы Q1 был включён всё это время. C1 также не должен иметь слишком большую ёмкость, так как процесс заряда будет проходить долго и уровень напряжения не будет увеличиваться в достаточной степени чтобы сохранить MOSFET включённым. Чем большее время требуется во включённом состоянии, тем большая требуется ёмкость. Таким образом меньшая частота требует большую ёмкость C1. Больший коэффициент заполнения требует большую ёмкость C1. Конечно есть формулы для расчёта ёмкости, но для этого нужно знать множество параметров, а некоторые из них мы может не знать, например ток утечки конденсатора. Поэтому я просто оценил примерную ёмкость. Для низких частот, таких как 50Гц, я использую ёмкость от 47мкФ до 68мкФ. Для высоких частот, таких как 30-50кГц, я использую ёмкость от 4.7мкФ до 22мкФ. Так как мы используем электролитический конденсатор, то керамический конденсатор должен быть использован параллельно с этим конденсатором. Керамический конденсатор не обязателен, если усилительный конденсатор — танталовый.

D2 и D3 разряжают затвор MOSFETов быстро, минуя затворные резисторы и уменьшая время отключения. R1 и R2 это токоограничивающие затворные резисторы.

+MOSV может быть максимум 500В.

+VCC должен идти с источника без помех. Вы должны установить фильтрующие и развязочные конденсаторы от +VCC к земле для фильтрации.

Давайте теперь рассмотрим несколько примеров схем с IR2110.

Рисунок 6 — Схема с IR2110 для высоковольтного полумоста

Рисунок 7 — Схема с IR2110 для высоковольтного полного моста с независимым управлением ключами (кликабельно)

На рисунке 7 мы видим IR2110, использованный для управления полным мостом. В ней нет ничего сложного и, я думаю, уже сейчас вы это понимаете. Также тут можно применить достаточно популярное упрощение: HIN1 мы соединяем с LIN2, а HIN2 мы соединяем с LIN1, тем самым мы получаем управление всеми 4 ключами используя всего 2 входных сигнала, вместо 4, это показано на рисунке 8.

Рисунок 8 — Схема с IR2110 для высоковольтного полного моста с управлением ключами двумя входами (кликабельно)

Рисунок 9 — Схема с IR2110 как высоковольтного драйвера верхнего уровня

На рисунке 9 мы видим IR2110 использованный как драйвер верхнего уровня. Схема достаточно проста и имеет такую же функциональность как было описано выше. Есть вещь которую нужно учесть — так как мы больше не имеем ключа нижнего уровня, то должна быть нагрузка подключённая с OUT на землю. Иначе усилительный конденсатор не сможет зарядится.

Рисунок 10 — Схема с IR2110 как драйвера нижнего уровня

Рисунок 11 — Схема с IR2110 как двойного драйвера нижнего уровня

---

Если у вас проблемы с IR2110 и всё постоянно выходит из строя, горит или взрывается, то я уверен, что это из-за того, что вы не используете резисторы на затвор-исток, при условии, конечно, что вы всё спроектировали тщательно. НИКОГДА НЕ ЗАБЫВАЙТЕ О РЕЗИСТОРАХ НА ЗАТВОР-ИСТОК. Если вам интересно, вы можете прочитать о моем опыте с ними здесь (я также объясняю причину, по которой резисторы предотвращают повреждения): http://tahmidmc.blogspot.com/2012/10/magic-of-knowledge.html

Для дальнейшего чтения я рекомендую это: http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-978.pdf

Я видел как на многих форумах, люди бьются с проектированием схем на IR2110. У меня тоже было много трудностей прежде чем я cмог уверенно и последовательно строить успешные схемы драйвера на IR2110. Я попытался объяснить применение и использование IR2110 довольно тщательно, попутно всё объясняя и используя большое количество примеров, и я надеюсь, что это поможет вам в ваших начинаниях с IR2110.

ШИМ-регулятор 220 В ( IGBT )

ШИМ-регулятор 220 В ( IGBT )

     Вот уже сделан и проверен первый ШИМ-регулятор на 220 вольт и 10 ампер на микросхеме NE555. Далее по плану надо сделать такой-же простой ШИМ, только с гальванической развязкой между силовой  и управляющей частями схемы. А также в качестве силового транзистора попробую использовать транзистор IGBT , а именно широко известный   FGA25N120ANTD . Этот ШИМ тоже сделан на микросхеме NE555, а гальваническая развязка сделана на самом известном  оптроне PC817 . Питание задающего генератора сделано от отдельного трансформатора, стоит диодный мост VD7  и стабилизатор DA4  LM7809.
Транзисторы FGA25N120ANTD можно купить здесь

   

  В качестве силового транзистора решил попробовать IGBT-транзистор. Есть такие хитрые транзисторы , которые сочетают в себе преимущества биполярных и полевых транзисторов. Выбрал известный транзистор FGA25N120ANTD. Для нормальной работы этому транзистору нужен соответствующий драйвер, который я сделал из транзисторов разной проводимости S8050 и S8550. Максимально допустимые параметры транзистора FGA25N120ANTD —  напряжение коллектор-эмиттер 1200 вольт и ток до 25 ампер, что совсем неплохо.

   Силовой диодный мость поставил на 25 ампер GBJ2510, диод в обратном включении параллельно нагрузке — это быстродействующий диод с максимальным током до 30 ампер и напряжением 600 вольт RHRP3060 .   Питание драйвера силового транзистора сделано по бестрансформаторной схеме — это элементы VD6, VD8, R11, R12, C7, C8 и C9.
     Потом провёл небольшие испытания этого ШИМ-регулятора. Сначала подключил активную нагрузку — то есть простую лампочку накаливания, затем подключил коллекторный двигатель от стиральной машины Индезит. В общем первые испытания прошли успешно. Буду дальше развивать этот проект.

Все нужные радиодетали можно приобрести здесь  

      Снял видео и разместил его в YouTube —

 Нарисовал и проверил предварительную схему с обратной связью от таходатчика.

       В общем с обратной связью работает лучше , чем без неё, но хуже чем с
Ардуино —  нормально работает от  1000 оборотов в минуту.
   Сделал ещё один  пробный вариант — переделал силовую часть на драйвере TLP250 и добавил защиту по току  на компараторе — вот что получилось:

   В общем регулятор работает по-лучше чем прошлые варианты.   Защита помогает первоначальный бросок тока убрать.  Драйвер TLP250 заработал нормально только при напряжении питания 15 вольт.
   Снял видео   —

Главная страница

Подписаться на:
Сообщения (Atom)

Полупроводниковые и системные решения — Infineon Technologies

Итоги четвертого финансового квартала и финансового года за 2022 год

15 ноября 2022 года

Дополнительная информация

Соединяя точки перехода к энергетике

Веб-семинар 15 ноября: Как взаимодействуют возобновляемые источники энергии, хранение, передача и потребление энергии и почему зарядка электромобилей является ключевым фактором.

Сохраните свое место сейчас

electronica 2022

Посетите нас на выставке electronica в этом году — живите в Мюнхене или в цифровом формате!

Учить больше

Присоединяйтесь к нам на TRUSTECH 2022

Погрузитесь в самое сердце безопасности на выставке TRUSTECH этого года с семейством универсальных решений Infineon SECORA™.

Узнать больше

Тяговые инверторы для электрифицированных транспортных средств

Высокая эффективность увеличивает дальность действия и снижает затраты на охлаждение, пространство и вес.

Учить больше

Очеловечивание энергии: технологии и обезуглероживание

Можете ли вы представить, что электронный чип толщиной с волос может изменить ситуацию, когда речь идет о достойном будущем?

Смотреть видео

Производительность GiGaNtic в адаптерах/зарядных устройствах USB-C

Первая в отрасли комбинированная ИС с коррекцией коэффициента мощности и гибридной обратной связью для конструкций сверхвысокой плотности. Узнай одним из первых!

Скачать техническое описание

Tech for — события о влиянии технологий

Присоединяйтесь к нашей прямой трансляции «Технологии для устойчивого будущего»! Следите за нашими панельными дискуссиями о роли и потенциале технологий для создания будущего, достойного жизни

Присоединяйтесь к нашей прямой трансляции

Новости

14 ноября 2022 г. | Ежеквартальный отчет

После рекордного 2022 финансового года Infineon значительно увеличивает свои долгосрочные финансовые цели и планирует крупные инвестиции в новый завод в Дрездене; позитивный прогноз на 2023 год

14 ноября 2022 г. | Business & Financial Press

Infineon и Stellantis договорились о меморандуме о взаимопонимании по многолетней поставке чипов из карбида кремния (SiC)

Новости рынка

15 ноября 2022 г. | Новости рынка

Infineon выпускает первую в отрасли комбинированную ИС с коррекцией коэффициента мощности и гибридной обратноходовой микросхемой, повышающую производительность в адаптерах и зарядных устройствах USB-C на основе GaN с EPR

Посетите Infineon в Твиттере

Техническое описание IR2127 — 600-вольтовая микросхема драйвера затвора верхнего плеча с перегрузкой по току

Деталь IR2127 Категория Силовые микросхемы драйвера затвора Title ИС драйвера затвора с одним входом высокого напряжения, 600 В, с защитой от перегрузки по току и отчетом об ошибках Описание

ИС драйвера высокого напряжения 600 В с типичным током источника 0,25 А и током потребителя 0,5 А в 8-выводном корпусе PDIP для IGBT и MOSFET. Также доступен в 8-выводном корпусе SOIC.

Компания Корпорация Infineon Technologies Техническое описание Загрузить IR2127 Техническое описание Крест. Аналогичные детали: UC1705, UC1705-SP, UC1710, UC1710-SP, UC2705, UC2710, UC3705, UC3705M, UC3710, UCC27321 Цитата

Где купить

 

Технические характеристики

0090 Switch Type

Input Vcc max	20V
Input Vcc min	10V
Output Vbs max	20V
Output Vbs min	12V
Channels nominal	1
Конфигурация	Сторона высокого напряжения
Класс напряжения номинальное	600 В
Квалификация	Промышленное
IGBT, MOSFET
Isolation Type	Functional levelshift
Fall Time nominal	40ns
Rise Time nominal	80ns
Turn Off Propagation Delay nominal	150ns
Задержка распространения при включении номинальная	200 нс

Функциональная блок-схема IR2127

Техническое описание, первая страница Изображение

Предыдущий

Следующий

Функции, приложения

Особенности

• Плавучий канал, предназначенный для работы начальной загрузки
• . до 20 В (IR2127, IR2128 Выход не совпадает по фазе со входом (IR2128 )

Применение

• Motor control and drives
• Robotics
• Fast EV charging

Ordering

0091

Part number	Packing Type	Packing Size	Package name	RoHS compliant	Market date	Moisture Упаковка
IR2127PBF	Трубка	3000	PDIP8	Да	2016-03-02			2016-03-02

Предварительный просмотр документа

Особенности
Плавающий канал, предназначенный для работы в режиме самонастройки Полностью работоспособен до +600 В
Устойчив к отрицательному переходному напряжению Невосприимчивость к dV/dt Диапазон привода затвора для конкретного применения:

Автомобильная промышленность: 20 В (IR21271) Блокировка при пониженном напряжении Совместимость с входной логикой 3,3 В, 5 В и 15 В ОТКАЗ вывод указывает, что произошло отключение. Выходной сигнал совпадает по фазе со входным (IR2127/IR21271)

Выход не совпадает по фазе со входом (IR2128) Доступен в бессвинцовой версии
Описание

Высоковольтный высокоскоростной драйвер MOSFET и IGBT. Запатентованные технологии HVIC и CMOS с защитой от защелок обеспечивают прочную монолитную конструкцию. Логический вход совместим со стандартными выходами CMOS или LSTTL до 3,3 В. Схема защиты обнаруживает перегрузку по току в управляемом силовом транзисторе и отключает напряжение управления затвором. Сигнал FAULT с открытым стоком указывает на то, что произошло отключение из-за перегрузки по току. Выходной драйвер имеет буферный каскад с высоким импульсным током, спроектированный для минимальной перекрестной проводимости. Плавающий канал можно использовать для управления N-канальным силовым MOSFET или IGBT в конфигурации верхнего или нижнего плеча, который работает до 600 вольт.

(См. Назначение выводов для правильной конфигурации контактов). На этой/этих схемах показаны только электрические соединения. Пожалуйста, обратитесь к нашим примечаниям по применению и советам по дизайну для правильной компоновки печатной платы.

Абсолютные максимальные значения указывают устойчивые пределы, за пределами которых может произойти повреждение устройства. Все параметры напряжения являются абсолютными значениями напряжения относительно COM. Показатели теплового сопротивления и рассеиваемой мощности измеряются в условиях монтажа на плате и в условиях неподвижного воздуха.

Плавающее напряжение питания на стороне высокого напряжения Плавающее напряжение смещения на стороне высокого напряжения Плавающее значение на стороне высокого выходного напряжения Логическое напряжение питания Логическое входное напряжение ОТКАЗ Выходное напряжение Напряжение измерения тока Допустимое смещение напряжения питания Переходные процессы Рассеиваемая мощность пакета TA +25C

Тепловое сопротивление, соединение с окружающей средой (8-контактный DIP-вывод)

Временная диаграмма логики ввода/вывода показана на рис. 1. Для правильной работы устройство следует использовать в рекомендуемых условиях. Номинальное смещение VS проверено со всеми источниками питания, смещенными при дифференциальном напряжении 15 В.

Высокое напряжение, плавающее, напряжение смещения, высокое значение, плавающее, выходное напряжение, логика, напряжение питания, логика, входное напряжение, ОШИБКА, выходное напряжение, датчик тока, сигнал, напряжение, температура окружающей среды

Примечание 1: Логика работает до +600 В. Логическое состояние удерживается от -5В до -VBS. (Пожалуйста, обратитесь к совету по дизайну DT97-3 ​​для получения более подробной информации).

VBIAS (VCC, VBS) 1000 пФ и = 25°C, если не указано иное. Динамические электрические характеристики измеряются с помощью испытательной схемы, показанной на рис. 3.9.0005

Мин. тип. Максимум. Единицы Условия испытаний

VBIAS (VCC, VBS) = 15 В и = 25 °C, если не указано иное. Параметры VIN, VTH и IIN относятся к COM. Параметры VO и IO относятся к VS.

Логика «1» Логика входного напряжения «0» Логика входного напряжения «0» Логика входного напряжения «1» Входное напряжение CS Положительный входной порог

Выходное напряжение высокого уровня, VBIAS — VO Выходное напряжение низкого уровня, VO
Ток питания VBS в режиме покоя Ток питания VCC в режиме покоя Логика «1» Входной ток смещения
Высокий импульсный ток короткого замыкания на выходе

Связанные продукты с тем же паспортом

IR21271

Входное Vcc макс.: 20 В, Входное Vcc мин.: 10 В, Выходное напряжение Vbs макс.: 20 В, Выходное напряжение Vbs мин.: 9 В, Номинальное количество каналов: 1, Конфигурация: Верхняя сторона, Класс напряжения, номинальное значение: 600 В, Квалификация: Промышленный, Тип переключателя

ИР21271С

Вход Vcc макс.: 20 В, Вход Vcc мин.: 10 В, Выход Vbs макс.: 20 В, Выход Vbs мин. : 9В, Номинальное количество каналов: 1, Конфигурация: Верхняя сторона, Класс напряжения, номинальное значение: 600 В, Квалификация: Промышленное, Тип переключателя

IR2127S

Входное Vcc макс.: 20 В, Входное Vcc мин.: 10 В, Выходное напряжение Vbs макс.: 20 В, Выходное напряжение Vbs мин.: 12 В, Номинальное количество каналов: 1, Конфигурация: Верхняя сторона, Класс напряжения, номинальное значение: 600 В, Квалификация: Промышленный, Тип переключателя

IR2128

Входное Vcc макс.: 20 В, Входное Vcc мин.: 10 В, Выходное напряжение Vbs макс.: 20 В, Выходное напряжение Vbs мин.: 12 В, Номинальное количество каналов: 1, Конфигурация: Сторона высокого напряжения, Номинальный класс напряжения: 600 В, Квалификация: Промышленный, Тип переключателя

IR2128S

Входное Vcc макс.: 20 В, Входное Vcc мин.: 10 В, Выходное напряжение Vbs макс.: 20 В, Выходное напряжение Vbs мин.: 12 В, Номинальное количество каналов: 1, Конфигурация: Верхняя сторона, Класс напряжения, номинальное значение: 600 В, Квалификация: Промышленный, Тип переключателя

Номер детали того же производителя

BSC0804LS

Низковольтные силовые МОП-транзисторы OptiMOS™ идеально подходят для зарядных устройств и адаптеров. Группа продуктов: SuperSO8, Дополнительная информация: электрические, тепловые, C _ISS номинал: 1600 пФ,

AUIRLL014N

Автомобильный Q101 55V Single N-Channel MEXFET Power MOSFET в корпусе SOT-223. Уровень чувствительности к влаге: 1, полярность: N, Q _gd тип. номинал: 3nC, R _thJA макс.: 90K/W,

IRFZ48VS

Одноканальный силовой МОП-транзистор MEXFET на 60 В в корпусе D2-Pak. Уровень чувствительности к влаге: 1, упаковка: D2PAK (TO-263), полярность: N, Q _G , тип. при 10 В, номинал

IPP60R074C6

. I _Dpuls макс.: 151 A, В _GS(th) макс.: 3,5 В, V _GS(th) мин.: 2,5 В, R _th

3 IGW4 IGW4 IGW4

h4
. E _на ном.: 0,93 мДж, I _Cpuls макс.: 120 A, Q _Gate номинально: 165 нКл, В _CE(sat)

FP25R

. I _C(ном.) / I _F(ном.) , номинальный: 25 А, Корпус: EconoPIM™ 2, Конфигурация: PIM Three

ФС150Р12ПТ4

. I _C(ном.) / I _F(ном.) , номинальный: 150 А, Корпус: EconoPACK™ 4, Особенности: PressFIT,

TLF4949SJ

TLF4949 представляет собой монолитный интегрированный стабилизатор напряжения 5 В с очень низким выходным падением напряжения и дополнительными функциями, такими как сброс при пониженном напряжении с задержкой сброса при включении питания и считывание входного напряжения. Номинальная точность: 2%, максимальная рабочая температура: 125°C, минимальная рабочая температура: -40°C,

TLE42744D V50

TLE42744D V50 — это монолитный интегрированный регулятор напряжения с малым падением напряжения для токов нагрузки до 400 мА. Устройство предназначено для суровых условий автомобильной промышленности. Максимальная рабочая температура: 150°C, минимальная рабочая температура: -40°C, номинальная точность

T300N16TOF

. Конфигурация: тиристор с электрическим управлением фазой, корпус: диск диаметром 42 мм, высота 14 мм / керамика,

Та же категория

MPC17510AEJ

H-мост, низкое напряжение, драйвер щеточного двигателя постоянного тока, 2-15 В, 3,8 А, 200 кГц, TSSOP20-EP.

MPC17C724EP

H-мост, двойной, низковольтный драйвер шагового двигателя и щеточного двигателя постоянного тока, 2,7–5,5 В, 0,8 А, 200 кГц, QFN 16.

ISL89400

ИСЛ89400 | Полумостовые, полномостовые и трехфазные драйверы.

ISL89401

ИСЛ89401 | Полумостовые, полномостовые и трехфазные драйверы.

TLD2142-1EP

LITIX™ Basic+ TLD2142-1EP — это одноканальная микросхема драйвера верхнего плеча со встроенным выходным каскадом.

TLD1211SJ

TLD1211SJ представляет собой интегрированный регулируемый источник постоянного тока, выполненный по технологии биполярной ИС.