Транзистор 42t даташит: The SMD CodeBook. SMD-
Содержание
Биполярный транзистор / Хабр
1. Основные сведения
Биполярным транзистором называется трехэлектродный усилительный полупроводниковый прибор, имеющий трехслойную p-n-p, либо n-p-n структуру с двумя взаимодействующими (ключевое слово) p-n переходами.
Свое имя «TRANSferresISTOR» (дословно – «переходное сопротивление») этот полупроводниковый прибор получил в 1948 году от Уильяма Шокли. Термин «биполярный» подчеркивает тот факт, что принцип действия транзистора основан на взаимодействии с электрическим полем частиц обоих знаков — как дырок, так и электронов.
Рис. 1. Упрощенный вид внутреннего устройства биполярного транзистора p-n-p структуры.
На рис. 1 показан упрощенный вид внутренней структуры объемного маломощного биполярного p-n-p транзистора. Крайнюю слева р+ область называют эмиттером. Промежуточная n область называется базой.
Крайняя p область справа – коллектор. Электронно-дырочный переход между эмиттером и базой называют эмиттерным, а между базой и коллектором – коллекторным.
Для того, чтобы уменьшить интенсивность процессов рекомбинации дырок в базе, необходимо выполнить условие , то есть физическая толщина базы должна быть меньше диффузионной длины. Это означает автоматическое выполнение условия , что обуславливает взаимодействие переходов.
Эмиттер предназначен для инжекции дырок в базу. Область эмиттера имеет небольшие размеры, но большую степень легирования – концентрация акцепторной примеси NA в эмиттере кремниевого транзистора достигает ~ 1017 – 1018 ат/см3 (этот факт обозначен символом р+). Область базы легирована нормально – концентрация донорной примеси ND в ней составляет ~ 1013 – 1014 ат/cм3.
В этом случае эмиттерный переход получается резко несимметричным, поскольку обедненная зона располагается, в основном, в базе. Диффузия носителей становится односторонней, так как резко уменьшается встречный поток электронов из базы в эмиттер, что также уменьшает интенсивность процессов рекомбинации дырок в базе.
Теперь выделим еще раз особенности структуры, которые обеспечивают хорошие усилительные свойства транзистора, уменьшая интенсивность процессов рекомбинации:
Область коллектора имеет наибольшие размеры, поскольку в его функцию входит экстракция носителей, диффундировавших через базу. Кроме того, на коллекторе рассеивается большая мощность, что требует эффективного отвода тепла.
Биполярные транзисторы, как правило, изготавливаются из кремния, германия или арсенида галлия. По технологии изготовления биполярные транзисторы делятся на сплавные, диффузионные и эпитаксиальные.
Биполярные транзисторы являются усилительными приборами и, поэтому, применяются для построения схем усилителей, генераторов и преобразователей электрических сигналов в широком диапазоне частот (от постоянного тока до десятков гигагерц) и мощности (от десятков милливатт до сотен ватт).
В соответствии с этим биполярные транзисторы делятся на группы по частоте:
низкочастотные не более 3 МГц;
средней частоты — от 3 МГц до 30МГц;
высокочастотные- от 30 МГц до 300 МГц;
сверхвысокочастотные — более 300 МГц
По мощности выделяют следующем образом:
маломощные — не более 0,3 Вт;
средней мощности — от 0,3 Вт до1,5 Вт;
большой мощности — более 1,5 Вт.
В настоящее время парк биполярных транзисторов очень разнообразен. Сюда входят как обычные транзисторы, которые работают в самых различных аналоговых, импульсных и цифровых устройствах, так и специальные, например, лавинные транзисторы, предназначенные для формирования мощных импульсов наносекундного диапазона. Следует упомянуть многоэмиттерные, а также составные биполярные транзисторы (транзисторы Дарлингтона), обладающие очень высоким коэффициентом передачи тока.
2. Принцип действия
Рассмотрим активный режим работы транзистора, когда эмиттерный переход открыт прямым смещением Uэб, а коллекторный закрыт обратным смещением Uкб. Для этого воспользуемся одномерной моделью транзистора, которая показана на рис. 2. Модель характерна тем, что все физические величины зависят только от продольной координаты, поперечные же размеры бесконечны. Стрелками на рисунке обозначены положительные направления токов (от «+» к «–»), дырки обозначены открытыми, а электроны – закрытыми кружками. Сокращения: ЭП – эмиттерный переход, КП – коллекторный переход.
Рис. 2. Иллюстрация принципа действия биполярного транзистора p-n-p структуры.
Предположим, что в начальный момент времени ключ «К» разомкнут. Эмиттерный переход закрыт, поскольку потенциальный барьер в обедненной области перехода запрещает диффузию носителей, несмотря на огромный градиент концентраций на переходе – дырок слева 1017см-3, а справа 106см-3.
Это режим отсечки. Транзистор закрыт, существует только небольшой обратный тепловой ток обратно смещенного коллекторного перехода.
Теперь замкнем ключ «К». Потенциальный барьер понижается вследствие частичной компенсации внутреннего электрического поля встречно направленным внешним электрическим полем источника Uэб. Начинается процесс диффузии, вследствие огромного градиента концентраций дырок между эмиттером и базой. Дырки диффундируют или инжектируются из эмиттера в базу, где меняют статус – становятся неосновными. Для неосновных носителей нет потенциального барьера, другими словами, диффундируя через базу в направлении коллекторного перехода, они попадают во втягивающее поле коллекторного перехода и экстрагируются в область коллектора. В цепи коллектора эти дырки создают дрейфовый ток, пропорциональный току эмиттера:
(2.
1)
где α – доля дырок, достигших коллектора, или коэффициент передачи тока эмиттера. Поскольку небольшая часть дырок, инжектированных из эмиттера в базу, все же успевает рекомбинировать, то всегда α <1. При достаточно тонкой базе α может доходить до 0,99 и более. Уменьшение концентрации электронов в базе в результате рекомбинации восполняется потоком электронов от внешнего источника Uэб через внешний вывод базы. Таким образом внутренний ток рекомбинации, являющийся дырочным, полностью компенсируется электронным током через электрод базы:
(2.2)
В цепи коллектора кроме управляемого тока протекает неуправляемый дрейфовый обратный ток Iкб0, обусловленный, в основном, тепловой генерацией электронно-дырочных пар в объеме перехода. Этот ток очень мал, он не зависит от напряжения Uкб, а зависит только от температуры.
Обратный ток коллектора Iкб0 измеряется при разомкнутой цепи эмиттера, о чем говорит индекс «0» (ноль).
Полный ток, протекающий во внешней цепи коллектора, имеет дырочный характер и равен
(2.3)
В нормальных условиях работы поэтому с хорошей точностью полагают, что ток во внешней цепи коллектора равен
(2.4)
а ток во внешней цепи базы имеет электронный характер и равен
(2.5)
Согласно первому закону Кирхгофа,
(2.6)
Для удобства, формально, вводят коэффициент передачи тока базы
(2.
7)
Коэффициент связан с коэффициентом соотношением
(2.8)
3. Режимы работы и способы включения
Рис. 3.1. Условное обозначение на схеме биполярного транзистора p-n-p структуры
и n-p-n структуры .
Условные обозначения биполярного транзистора на схеме, показаны на рис. 3.1, а показано условное графическое обозначение биполярного транзистора по ГОСТ для формата листа А4. Стрелка на выводе эмиттера всегда направлена от «p» к «n», то есть указывает направление прямого тока открытого перехода. Кружок обозначает корпус дискретного транзистора. Для транзисторов в составе интегральных схем он не изображается. На рис. 3.1, б и в показаны структуры p-n-p и n-p-n соответственно. Принцип действия транзисторов обеих структур одинаков, а полярности напряжений между их электродами разные. Поскольку в транзисторе два перехода (эмиттерный и коллекторный) и каждый из них может находиться в двух состояниях (открытом и закрытом), различают четыре режима работы транзистора..jpg)
Активный режим, когда эмиттерный переход открыт, а коллекторный закрыт. Активный режим работы является основным и используется в усилительных схемах.
Режим насыщения— оба перехода открыты.
Режим отсечки— оба перехода закрыты.
Инверсный режим— эмиттерный переход закрыт, коллекторный — открыт.
В большинстве транзисторных схем транзистор рассматривается как четырехполюсник. Поэтому для такого включения один из выводов транзистора должен быть общим для входной и выходной цепей. Соответственно различают три схемы включения транзистора, которые показаны на рис. 3.2: а) с общей базой (ОБ), б) общим эмиттером (ОЭ) и в) общим коллектором (ОК). На рисунке указаны положительные направления токов, а полярности напряжений соответствуют активному режиму работы.
Рис. 3.2. Схемы включения транзистора слева направо: схема с ОБ, ОЭ и ОК.
В схеме ОБ входную цепь является цепь эмиттера, а выходной – цепь коллектора. Эта схема наиболее проста для анализа, поскольку напряжение Uэб прикладывается к эмиттерному переходу, а напряжение Uкб – к коллекторному, причем источники имеют разные знаки.
В схеме ОЭ входной цепью является цепь базы, а выходной – цепь коллектора. Напряжение Uбэ> 0 прикладывается непосредственно к эмиттерному переходу и открывает его. Напряжение Uкэ той же полярности распределяется между обоими переходами: Uкэ = Uкб + Uбэ. Для того чтобы коллекторный переход был закрыт, необходимо выполнить условие Uкб = Uкэ — Uбэ> 0, что обеспечивается неравенством Uкэ> Uбэ> 0.
В схеме ОК входной цепью является цепь базы, а выходной – цепь эмиттера.
4. Статические вольт-амперные характеристики
Транзистор, как любой четырехполюсник, можно охарактеризовать четырьмя величинами — входными и выходными напряжениями и токами: Uвх = U1, Uвых = U2, Iвх = I1, Iвых = I2.
Функциональные зависимости между этими постоянными величинами называются статическими характеристиками транзистора. Чтобы установить функциональные связи между указанными величинами, необходимо две из них взять в качестве независимых аргументов, а две оставшиеся выразить в виде функций этих независимых аргументов. Как правило, применительно к биполярному транзистору в качестве независимых аргументов выбирают входной ток и выходное напряжение. В этом случае
(4.1)
Обычно соотношения (4.1) представляют в виде функций одного аргумента. Для этого второй аргумент, называемый параметром характеристики, фиксируют. В основном, используют два типа характеристик транзистора:
(4.2)
(4.
3)
Следует отметить, что общепринято представление вольт-амперной характеристики как функции тока от напряжения, поэтому входная характеристика используется в виде обратной функции
(4.4)
Статические характеристики транзистора могут задаваться аналитическими выражениями, но в большинстве случаев их представляют графически в виде семейства характеристик, которые и приводятся в справочниках.
4.1. Статические характеристики в схеме с ОБ
В схеме с ОБ (рис. 3.2.а) входным током является ток эмиттера Iэ, а выходным – ток коллектора Iк, соответственно, входным напряжением является напряжение Uэб, а выходным – напряжение Uкб.
Входная характеристика в схеме ОБ представлена зависимостью
(4.
5)
которая, в свою очередь, является прямой ветвью вольт-амперной характеристики эмиттерного перехода. Семейство входных характеристик кремниевого n-p-n транзистора показано на рис. 4.1, а. Зависимость Iэ от Uкб как от параметра связана с эффектом Эрли: увеличение обратного смещения коллекторного перехода Uкб уменьшает эффективную толщину базы W, что приводит к некоторому росту Iэ. Это проявляется в смещении входной характеристики в сторону меньших значений . Режиму отсечки формально соответствует обратное напряжение Uэб> 0, хотя реально эмиттерный переход остается закрытым () и при прямых напряжениях .
Выходная характеристика транзистора в схеме ОБ представляет собой зависимость
(4.6)
Семейство выходных характеристик n-p-n транзистора показано на рис.
4.1, б. Форма кривых в активной области соответствует форме обратной ветви вольт-амперной характеристики коллекторного перехода.
Рис. 4.1. Семейства входных (а) и выходных (б) характеристик биполярного транзистора в схеме с ОБ.
Выражение для идеализированной выходной характеристики в активном режиме имеет вид
(4.7)
Отсюда следует, что ток коллектора определяется только током эмиттера и не зависит от напряжения Uкб, т.е. характеристики в активном режиме расположены параллельно оси абсцисс. На практике же при увеличении Uкб имеет место небольшой рост Iк, связанный с эффектом Эрли, характеристики приобретают очень незначительный наклон. Кроме того, в активном режиме характеристики практически эквидистантны (расположены на одинаковом расстоянии друг от друга), и лишь при очень больших токах эмиттера из-за уменьшения α кривые несколько приближаются друг к другу.
При Iэ = 0 транзистор находится в режиме отсечки и в цепи коллектора протекает только неуправляемый тепловой ток (Iк = Iкб0).
В режиме насыщения на коллекторном переходе появляется открывающее его прямое напряжение Uкб, большее порогового значения Uкб пор, и возникает прямой диффузионный ток навстречу нормальному управляемому току Iк. Этот ток называют инверсным. Инверсный ток резко увеличивается с ростом , в результате чего Iк очень быстро уменьшается и, затем, меняет знак.
4.2. Статические характеристики в схеме с ОЭ
В схеме с ОЭ (рис. 3.2, б) входным током является ток базы Iб, а выходным – ток коллектора Iк. Соответственно, входным напряжением является напряжение Uбэ, а выходным – Uкэ.
Рис. 4.2. Семейства входных (а) и выходных характеристик (б) биполярного транзистора в схеме с ОЭ.
Входная характеристика в схеме с ОЭ представляет собой зависимость
(4.8)
что, как и в схеме с ОБ, соответствует прямой ветви вольт-амперной характеристики эмиттерного перехода.
Семейство входных характеристик кремниевого n-p-n транзистора показано на рис. 4.2, а. Зависимость тока базы Iб от напряжения на коллекторе Uкэ, как и в предыдущем случае, обусловлена эффектом Эрли. Уменьшение эффективной ширины базы W с ростом Uкэ приводит к уменьшению тока рекомбинации, а, следовательно, тока базы в целом. В результате, характеристики смещаются в сторону больших значений Uбэ. Следует отметить, что Iб = 0 при некотором значении Uпор> 0, когда рекомбинационный ток (1-α)Iэ становится равным тепловому току Iкэ0. При Uбэ <Uпор, Iб = — Iкэ0, что соответствует режиму отсечки.
При Uкэ <Uбэ открывается коллекторный переход, и транзистор переходит в режим насыщения. В этом режиме вследствие двойной инжекции в базе накапливается очень большой избыточный заряд электронов, интенсивность рекомбинации которых с дырками резко возрастает, и ток базы стремительно растет.
Выходная характеристика в схеме с ОЭ представляет собой зависимость
(4.9)
Семейство выходных характеристик показано на рис. 7.6б. Для получения идеализированной выходной характеристики в активном режиме из соотношения (2.2), учитывая (2.6), исключим ток эмиттера. Тогда
(4.10)
Ток Iкэ0 называют сквозным тепловым током транзистора, причем, как видно из (4.11),
(4.
11)
Семейство выходных характеристик целиком расположено в первом квадранте. Данный факт обусловлен тем, что в схеме с ОЭ напряжение Uкэ распределено между обоими переходами. При Uкэ <Uбэ напряжение на коллекторном переходе меняет знак и становится прямым. В результате транзистор переходит в режим насыщения при Uкэ> 0. В режиме насыщения характеристики сливаются в одну линию, т.е. Iк становится неуправляемым и не зависит от тока базы.
Как видно из рис. 4.2 .б, в активном режиме кривые проходят под углом к оси абсцисс, причем этот угол увеличивается с ростом тока базы. Такое поведение кривых обусловлено эффектом Эрли. Однако рост Iк при увеличении Uкэ выражен значительно ярче, чем в схеме с ОБ, поскольку в активном режиме эмиттерный переход приоткрыт падением напряжения на материале базы в результате протекания коллекторного тока. Это приводит к дополнительному увеличению коллекторного тока Iк с ростом напряжения Uкэ.
Этим же объясняется отсутствие эквидистантности и наличие в β раз большего, чем Iкб0, сквозного теплового тока Iкэ0 (4.11).
Характеристики транзисторов, резисторов, микросхем и datasheet
На нашем портале MirShem.ru который является справочником радиодеталей и электронных компонентов вы найдёте характеристики, транзисторов, резисторов, диодов, конденсаторов, стабилитронов, стабилизаторов, оптронов и многих других. Также к каждому элементу приведены аналоги и datasheet от производителей.
Транзисторы: 2N7000, 13002 (MJE13002), D718, КТ503, J13009-2, SS8550, SS8050, BD140, 2N5551, 2N3904, C2335, C5027-R, 40N03P, 2N7002, D2012 (2SD2012), КП303, D1047, П214А, C3198, КТ815Б, B772, S8550, IRFP064N, IRFP260N, D1555, IRF840, D13007K, BD139, IRFZ24N, КТ3107, КТ837, IRF540N, D5072 (2SD5072), 2N3906, IRF3205, КТ829А, КТ3102, IRF740, КТ814, C4106, КТ805АМ, S9012, 2SC5200, КТ825Г, КТ825, IRF510, MJE13009, 2N60B, IRF520, MJE13003, TIP42C, КТ817Г, IRFP460, MJE13007, D2058 (2SD2058), C2383, S9014, S8050, КТ819, 13001, IRF640, КТ315Б, КТ805БМ, S9013, TIP41C, 2N2222, D209L, C1815, A733 (2SA733), C945, КТ315Г, BC547, IRFZ44N, BC337, BC557, 2N5401, IRF630, КТ838А, S9018, П210Б, TIP127, TIP35C, TIP122, A1015, КТ808А, КТ819Г, КТ940А, КТ815, КТ361, КТ827А, D882 (2SD882), КТ818Г, КТ803А, D2499 (2SD2499).
Тиристоры: BTA16-600B, PCR406J, КУ202Н, КУ208Г.
Datasheet: BTA16-600B, A928A.
Транзисторы
Характеристики и Datasheet на транзистор BC327-40
048
Как указанно в технических характеристиках, BC327-40 – это биполярный, кремниевый n-p-n транзистор.
Транзисторы
Транзистор A1273: характеристики и Datasheet
0113
Согласно техническим характеристикам, A1273 – это биполярный транзистор, основным материалом которого
Транзисторы
Характеристики транзистора IRF4905
0103
Согласно техническим характеристикам, предоставленных производителем, IRF4905 – это мощный МОП-транзистор.
Транзисторы
Характеристики транзистора H945
090
Согласно техническим характеристикам, H945 относится к биполярным транзисторам структуры n-p-n, изготовленным
Транзисторы
Характеристики транзистора КТ502
0220
КТ502, по техническим характеристикам, подходит для установки в УНЧ, преобразователях и ОУ.
Транзисторы
Транзистор BU508: характеристики и аналоги
0120
BU508, согласно своим техническим характеристикам, является кремниевым транзистором n-p-n структуры.
Транзисторы
Характеристики транзистора IRF1404
0256
В данной статье разберём технические характеристики IRF1404 – это силовые МОП транзисторы седьмого поколения
Транзисторы
Характеристики транзистора 2N3055
0169
Согласно техническим характеристикам, 2N3055 – это мощный кремниевый транзистор, изготовленный с использованием
Транзисторы
Характеристики транзистора 2SC2625, Datasheet и аналоги
0189
Транзистор 2SC2625, по своим техническим характеристикам, отличается высокой скоростью переключения и
Транзисторы
Характеристики транзистора TIP142
0231
Транзистор TIP142 представляют собой комплементарный силовой кремниевый транзистор, сделанный по схеме
smd%20transistor%2042t спецификация и примечания по применению
org/Product»>РОМ Полупроводник
РОМ Полупроводник
РОМ Полупроводник
org/Product»>РОМ Полупроводник
РОМ Полупроводник
РОМ Полупроводник
smd%20transistor%2042t Листы данных Context Search
| Каталог Лист данных | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
|---|---|---|---|
СМД 43 Реферат: Катушки индуктивности Силовые катушки индуктивности smd диод j 100N 1FW+43+smd | Оригинал | SDC2D18LD 2Д18ЛД СМД 43 Индукторы Силовые индукторы smd-диод j 100Н 1FW+43+СМД | |
SDC3D11 Реферат: smd led smd диод j транзистор SMD 41 068 smd | Оригинал | SDC3D11 смд светодиод smd-диод j транзистор СМД 41 068 смд | |
СМД 356 В Реферат: дроссель smd we 470 356 AT smd транзистор smd 24 дроссель smd 470 Led smd smd диод j smd транзистор 560 SDC3D16 SMD INDUCTOR 47 | Оригинал | SDC3D16LD 3Д16ЛД СМД 356 АТ индуктор смд мы 470 356 В СМД транзистор СМД 24 индуктор смд 470 светодиод смд smd-диод j смд транзистор 560 SDC3D16 СМД ИНДУКТОР 47 | |
СМД d105 Реферат: SMD a34 B34 SMD smd 028 F индукторы 25 34 SMD силовые индукторы k439 | Оригинал | SDS3012E 3012Е СМД д105 СМД а34 Б34 СМД СМД 028 Ф катушки индуктивности 25 34 СМД Силовые индукторы к439 | |
к439 Аннотация: B34 SMD SMD a34 SDS301 | Оригинал | SDS3015ELD 3015ELD к439 Б34 СМД СМД а34 SDS301 | |
СДК2Д14 Реферат: SDC2D14-2R2N-LF Дроссель bo smd транзистор SMD 24 «Силовые индукторы» СИЛОВЫЕ ДАТЧИКИ smd led smd сопротивление smd p 112 | Оригинал | SDC2D14 СДК2Д14-2Р2Н-ЛФ Индуктор бо smd транзистор СМД 24 «Силовые индукторы» СИЛОВЫЕ ИНДУКТОРЫ смд светодиод смд сопротивление смд р 112 | |
SDS2D10-4R7N-LF Резюме: SDS2D10 smd led smd 83 smd транзистор 560 4263B катушки индуктивности 221 a32 smd | Оригинал | SDS2D10 SDS2D10-4R7N-LF смд светодиод смд 83 смд транзистор 560 4263Б катушки индуктивности 221 а32 смд | |
2012 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | SDC3D28 | |
СДК2Д11-100Н-ЛФ Реферат: Катушки индуктивности Силовые катушки smd led «Силовые катушки индуктивности» smd 123 smd диод j 4263B SMD INDUCTOR 47 | Оригинал | SDC2D11 СДК2Д11-100Н-ЛФ Индукторы Силовые индукторы смд светодиод «Силовые индукторы» смд 123 smd-диод j 4263Б СМД ИНДУКТОР 47 | |
СДК2Д11ХП-3Р3Н-ЛФ Реферат: Силовые индукторы Катушки индуктивности smd led smd диод j 4263B | Оригинал | SDC2D11HP 2Д11ХП SDC2D11HP-3R3N-LF Силовые индукторы Индукторы смд светодиод smd-диод j 4263Б | |
2012 — SDC2D14-1R5N-LF Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | SDC2D14 СДК2Д14-1Р5Н-ЛФ | |
А44 СМД Резюме: смд 5630 5630 смд койлмастер смд B44 SDS4212E-100M-LF | Оригинал | SDS4212E 4212E A44 СМД смд 5630 5630 смд койлмастер смд б44 SDS4212E-100M-LF | |
индуктор Резюме: смд светодиод SDC2D14HPS-221M-LF 13dBo 100N SDC2D14HPS | Оригинал | СДК2Д14ХП 2Д14ЛС индуктор смд светодиод SDC2D14HPS-221M-LF 13 дБ Бо 100Н SDC2D14HPS | |
катушки индуктивности Реферат: СИЛОВЫЕ ДАТЧИКИ Диод smd 86 smd диод j 100N SDC2D18HP «Силовые индукторы» | Оригинал | SDC2D18HP 2Д18ХП катушки индуктивности СИЛОВЫЕ ИНДУКТОРЫ Диод смд 86 smd-диод j 100Н «Силовые индукторы» | |
2012 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | SDC2D18HP 2Д18ХП | |
СМД .А40 Резюме: a40 smd smd D10 Inductors Power Inductors SMD A40 smd g12 | Оригинал | SDS4010E 4010Е СМД .А40 а40 смд смд д10 Индукторы Силовые индукторы СМД А40 смд г12 | |
Силовые индукторы Реферат: smd диод j 100N Катушки индуктивности | Оригинал | SDC3D18 Силовые индукторы smd-диод j 100Н Индукторы | |
2Д18 Реферат: катушки индуктивности 221 лф 1250 smd j диод SDS2D18 | Оригинал | SDS2D18 2Д18 катушки индуктивности 221 1250 лф smd-диод j | |
СМД 43 Реферат: катушки индуктивности Power Inductors 3D-14 smd диод j «Power Inductors» 3D14 | Оригинал | SDC3D14 СМД 43 катушки индуктивности Силовые индукторы 3Д-14 smd-диод j «Силовые индукторы» 3D14 | |
смд 3250 Реферат: SMD-диод Coilmaster Electronics j | Оригинал | SDC2D09 смд 3250 Койлмастер Электроника smd-диод j | |
пмб 4220 Резюме: Siemens pmb 4220 PMB 27251 4310 SMD IC 2197-T 82526-N smd 2035 DSP/pmb 4220 PMB27201 SICOFI PEF 2465 | OCR-сканирование | 2025-Н 2025-П 2026Т-П 2026Т-С 20320-Н 2035-Н 2035-П 2045-Н 2045-П 2046-Н 4220 пмб Сименс пмб 4220 ПМБ 27251 ИС 4310 для поверхностного монтажа 2197-Т 82526-Н СМД 2035 DSP/пмб 4220 PMB27201 СИКОФИ ПЭФ 2465 | |
Катушки индуктивности Реферат: Силовые индукторы 068 smd 0621 smd SMD a34 D160 SDS3015EHP-100M-LF | Оригинал | SDS3015EHP 3015EHP Индукторы Силовые индукторы 068 смд 0621 смд СМД а34 Д160 SDS3015EHP-100M-LF | |
СМД 43 Реферат: Дроссели транзисторные SMD мы SDS2D12-100M-LF h22 smd smd диод j 2D12 3r smd 340 smd «Дроссели силовые» | Оригинал | SDS2D12 СМД 43 Индукторы транзистор SMD мы СДС2Д12-100М-ЛФ h22 смд smd-диод j 2D12 3р смд 340 смд «Силовые индукторы» | |
2004 — стабилитрон SMD маркировка код 27 4F Реферат: smd диод шоттки код маркировка 2F smd стабилитрон код 5F panasonic MSL уровень smd стабилитрон код a2 SMD ZENER DIODE a2 smd стабилитрон 27 2f SMD стабилитрон код 102 A2 SMD стабилитрон SMD MARK A1 | Оригинал | 2002/95/ЕС) стабилитрон SMD маркировка код 27 4F SMD-диод с кодом Шоттки, маркировка 2F smd стабилитрон код 5F уровень Panasonic MSL smd стабилитрон код a2 SMD ЗЕНЕР ДИОД a2 смд стабилитрон 27 2ф Маркировка стабилитрона SMD код 102 A2 для поверхностного монтажа стабилитрон SMD MARK A1 | |
5a6 стабилитрон Реферат: Двойной MOSFET dip стабилитрон 6.2v 1w 10v ZENER DIODE 5A6 smd sot23 DG9415 | Оригинал | Si4418DY 130 мОм@ Si4420BDY Si6928DQ 35 мОм@ Si6954ADQ 53 мОм@ SiP2800 СУМ47Н10-24Л 24 мОм@ стабилитрон 5а6 двойной мосфет провал диод стабилитрон 6.2в 1вт 10В ЗЕНЕРСКИЙ ДИОД 5А6 смд сот23 ДГ9415 | |
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»> Предыдущий
1
2
3
…
23
24
25
Далее
Поиск
Возможна отправка в тот же день. Paypal принят, закажите онлайн сегодня!
Внимательно выберите номер детали, производителя и упаковку из приведенной ниже таблицы, а затем добавьте в корзину, чтобы перейти к оформлению заказа.
Купите сейчас, вам понравится
✓Отправьте заказ в тот же день!
✓Доставка по всему миру!
✓Ограниченная распродажа
✓Легкий возврат.
| Обзор продукта | ||
| Название продукта | Поиск | |
| Доступное количество | Возможна отправка немедленно | |
№ модели. | ||
| Код ТН ВЭД | 8529 | 0 |
| Минимальное количество | Начиная с одной детали | |
| Атрибуты продукта | ||
| Категории | ||
| идентификатор продукта | ||
| артикул | ||
| gtin14 | ||
| мпн | ||
| Статус детали | Активный | |
Все основные кредитные и дебетовые карты через PayPal.
Paypal (AMEX принимается через Paypal)
Мы также можем принять банковский перевод. Просто отправьте нам электронное письмо с URL-адресами или кодами продукта. Укажите адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы вышлем вам полные инструкции по электронной почте.
Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal
Товары отправляются с использованием почтовых услуг и оплачиваются по себестоимости.
Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней после оплаты. Доставка может быть объединена при покупке большего количества.
Другие способы доставки могут быть доступны при оформлении заказа — вы также можете сначала связаться со мной для получения подробной информации.
| Судоходная компания | Расчетное время доставки | Информация об отслеживании |
|---|---|---|
| Плоская транспортировочная | 30-60 дней | Нет в наличии |
| Заказная авиапочта | 15-25 дней | В наличии |
| ДХЛ/ЭМС/ФЕДЕРАЛ ЕХПРЕСС/ТНТ | 5-10 дней | В наличии |
| Окончательное время доставки Может быть задержано вашей местной таможней из-за таможенного оформления. | ||
Благодарим за покупку нашей продукции на нашем веб-сайте.
Чтобы иметь право на возмещение, вы должны вернуть продукт в течение 30 календарных дней с момента покупки.
Товар должен быть в том же состоянии, в котором вы его получили, и не иметь никаких повреждений.
После того, как мы получим ваш товар, наша команда профессионалов проверит его и обработает ваш возврат. Деньги будут возвращены на исходный способ оплаты, который вы использовали во время покупки. Для платежей по кредитной карте может потребоваться от 5 до 10 рабочих дней, чтобы возмещение появилось в выписке по кредитной карте.
Если продукт каким-либо образом поврежден или вы инициировали возврат по истечении 30 календарных дней, вы не имеете права на возмещение.
Если что-то неясно или у вас есть дополнительные вопросы, не стесняйтесь обращаться в нашу службу поддержки клиентов.
Подробнее о программе защиты покупок PayPal.
Получите заказанный товар или верните деньги.
Включает стоимость покупки и первоначальную доставку.
Если вы не получили товар в течение 25 дней, просто сообщите нам об этом, будет выдан новый пакет или замена.
Защита покупателя PayPal
Защита вашей покупки от клика до доставки
Вариант 1) Полный возврат средств, если вы не получили свой заказ
Вариант 2) Полный или частичный возврат средств, если товар не соответствует описанию
Если ваш товар значительно отличается от наше описание продукта, вы можете A: вернуть его и получить полный возврат средств или B: получить частичный возврат средств и сохранить товар.
Спецификация или техническая спецификация в формате PDF доступны для скачивания по запросу.
Почему выбирают нас?
Каковы ваши основные продукты?
| Наша основная продукция | ||
| Интегральные схемы (ИС) | Дискретный полупроводник | Потенциометры, регулируемые R |
| Звук специального назначения | Аксессуары | Реле |
| Часы/хронометраж | Мостовые выпрямители | Датчики, преобразователи |
| Сбор данных | Диакс, Сидак | Резисторы |
| Встроенный | Диоды | Катушки индуктивности, катушки, дроссели |
| Интерфейс | МОП-транзисторы | Фильтры |
| Изоляторы — драйверы затворов | БТИЗ | Кристаллы и осцилляторы |
| Линейный | JFET (эффект поля перехода) | Соединители, межсоединения |
| Логика | ВЧ полевые транзисторы | Конденсаторы |
| Память | ВЧ-транзисторы (BJT) | Изоляторы |
| PMIC | SCR | Светодиод |
| Транзисторы (БЮТ) | ||
| Транзисторы | ||
| Триаки |
Какова цена?
Какой способ оплаты?
Что такое возврат и замена?
(Любые использованные или поврежденные предметы не могут быть возвращены или заменены).
Каков минимальный объем заказа вашей продукции?
Когда вы отправите мне детали?
Похожие записи
Об авторе
