Stp60Nf10: STP60NF10 / STMicroelectronics

DataSheet PDF Search Site


Новые списки

Номер детали Функция Производители ПДФ
0603 Двухсторонний чип-резистор Электроника ТТ
0805 Двухсторонний чип-резистор Электроника ТТ
1206 Двухсторонний чип-резистор Электроника ТТ
2010 Двухсторонний чип-резистор Электроника ТТ
2512 Двусторонний чип-резистор Электроника ТТ
2SC4461 Кремниевый силовой транзистор NPN Сменный полупроводник
2SC4574 Кремниевый силовой транзистор NPN Сменный полупроводник
2SD1113 Кремниевый силовой транзистор NPN Замена полупроводника
2SD1245 Кремниевый силовой транзистор NPN Сменный полупроводник
2SD1509 Кремниевый силовой транзистор NPN Сменный полупроводник

STP60NF10:N-КАНАЛЬНЫЙ 100 В — 0,019 Ом — 80 А D2PAK/TO-220/I2PAK STripFET™ II Power MOSFET _ BDTIC ведущий дистрибьютор в Китае

Главная страница > STMicroelectronics > Силовые транзисторы > Мощные МОП-транзисторы > N-канальные STripFET > 30–350 В > STP60NF10

Эта серия полевых МОП-транзисторов, созданная с использованием уникального процесса STripFET™ от STMicroelectronics, была специально разработана для минимизации входной емкости и заряда затвора. Поэтому он подходит в качестве основного переключателя в передовых высокоэффективных высокочастотных изолированных преобразователях постоянного тока для телекоммуникационных и компьютерных приложений. Он также предназначен для любых приложений с низкими требованиями к приводу затвора.

Key Features

  • Exceptional dv/dt capability
  • 100% avalanche tested
Product Specifications
Description Version Size
DS4128:
N-канальный 100 В — 0,019 Ом — 80 A — TO-220 — D2PAK — I2PAK STripFET™ II Power MOSFET
4,4 359 KB
Замечания по применению
6

Описание Исполнение Размер
AN3267:
Влияние мощности MOSFET VGS на производительность понижающего преобразователя
1,2 1 МБ
Power MOSFET: Rg влияние на приложения 1,1 1 МБ
AN4390:
Технологии ST MOSFET для источников бесперебойного питания
1.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *