Сколько контактов на ddr2: Как узнать сколько контактов DDR2 на моей материнской плате ,если когда на планке оперативной памяти,которую я куплю.Форм-фактор FB-DIMM 240-контактн?

admin | 03.02.2023 | Популярное | Комментариев нет

Содержание

Частые вопросы — Оперативная память

Что такое форм-фактор модуля памяти?

Форм-фактором называется стандарт, который определяет основные показатели модуля памяти (габариты, число и принцип расположения контактов). На рынке существует следующий ряд форм-факторов памяти, они физически несовместимы между собой:

SIMM;

DIMM;

FB-DIMM;

SODIMM;

MicroDIMM;

RIMM.

Рассмотрим их подробнее:

SIMM (Single in Line Memory Module). Модули форм-фактора SIMM бывают двух версий: 30-контактные и 72-контактные. Каждый контакт обладает выходом на обе стороны платы.

DIMM (Dual in Line Memory Module). Модули форм-фактора DIMM, обычно, бывают следующих типов: 168-контактные, 184-контактные, 200-контактные и 240-контактные. Независимые контактные площадки располагаются по обе стороны платы.

FB-DIMM. Данный стандарт модулей памяти используется в серверах. В механическом плане, этот тип модуля идентичен модулям памяти DIMM 240-pin, но при этом категорически несовместим с обычными небуферизованными модулями DDR2 DIMM и DDR2 DIMM (Registered).

SO-DIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module). Уменьшенная вариация стандарта DIMM. Применяется, в основном, в ноутбуках и устройствах типа Tablet PC. Распространенные модули форм-фактора SO-DIMM — 144-контактные и 200-контактные. Реже встречаются 72- и 168-контактные.

MicroDIMM (Micro Dual In-Line Memory Module). Еще более уменьшенная в габаритах, по сравнению с SO-DIMM, версия DIMM. В основном, данный форм-фактор устанавливается в субноутбуки. Оснащается 60-контактной площадкой. На рынке существуют следующие варианты MicroDIMM: 144-контактный SDRAM, 172-контактный DDR и 214-контактный DDR2.

RIMM. Данный форм-фактор распространяется на все модули памяти типа RIMM (RDRAM). На рынке существуют следующие вариации данного форм-фактора: 184-контактная, 168-контактная и 242-контактная.

Важно: при выборе форм-фактора модуля оперативной памяти, необходимо иметь ввиду, что материнская плата, на которую в дальнейшем будет устанавливаться данная память, должна иметь поддержку выбранного форм-фактора оперативной памяти.

Типы оперативной памяти

Тип — очень важный параметр оперативной памяти. Им определяется ее внутренняя структура и основные характеристики. В настоящее время, на рынке существуют 5 основных типов оперативной памяти:

SDRAM;

DDR SDRAM;

DDR2 SDRAM;

DDR3 SDRAM;

RIMM.

Рассмотрим подробнее каждый из них:

SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) — синхронная динамическая память, обладающая произвольным доступом. В отличие от типов памяти предыдущих поколений, обладает функцией синхронизации с системным генератором. Это дает возможность контроллеру памяти точно определять время готовности данных, что существенно сокращает временные задержки, возникающие в процессе циклов. В недалеком прошлом, данный тип оперативной памяти широко применялся в ПК, однако сегодня тотально вытеснен с рынка типом DDR и его «последователями».

DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) — синхронная динамическая память, обладающая случайным доступом и удвоенной скоростью передачи. Ключевым преимуществом типа памяти DDR SDRAM перед типом SDRAM является увеличенная вдвое пропускная способность памяти, при той же тактовой частоте. Так, за один такт системного генератора производится не одна, как в SDRAM, а сразу две операции с данными. Отсюда и название: Double Data Rate (удвоенная скорость передачи данных).

DDR2 SDRAM — следующее поколение памяти DDR, второе по счету. Являясь эволюционным продолжением DDR, новое поколение сохранило в себе принципы функционирования «предшественника». Ключевое отличие кроется лишь в том, что в новом типе производится выборка 4-х бит данных за один такт, тогда как в первом DDR осуществлялась 2-х битная выборка. Кроме того, DDR2 отличается более низким энергопотреблением, меньшим тепловыделением и большей рабочей частотой.

DDR3 SDRAM — следующее за DDR2 SDRAM поколение оперативной памяти. В нем применяется та же технология «удвоения частоты», что и в DDR2. Ключевыми отличиями нового поколения памяти от предшествующего являются: возможность работы на более высокой частоте, и меньшее энергопотребление. Модули памяти DDR3 оснащены специальными «ключами», представляющими собой ориентирующие вырезы. Эти вырезы имеют явные отличия от «ключей» модулей памяти DDR2. Так, модули DDR3 и DDR2 не имеют совместимости со старыми слотами.

RIMM (RDRAM, Rambus DRAM) — синхронная динамическая память. Автором и разработчиком данного стандарта является корпорация Rambus. Главное отличие типа RIMM от DDR-памяти заключается в увеличенной тактовой частоте, которую удалось добиться благодаря сокращению разрядности шины при одновременной передаче номера строки/столбца ячейки в ходе обращения к памяти. Обладая чуть более высокой производительностью, RDRAM, при выходе на рынок, была значительно дороже DDR. Это повлекло за собой практически тотальное вытеснение RIMM с рынка оперативной памяти.

Выбирая оперативную память, пользователь, прежде всего, должен ориентироваться на возможности имеющейся/выбранной материнской платы, поскольку в параметрах «материнки» заложена совместимость с тем или иным модулем памяти.

Что такое упаковка чипов?

Это определенный характер расположения чипов на модуле памяти. Модули могут быть как с односторонней, так и с двусторонней упаковкой. Когда микросхемы установлены с обеих сторон модуля, толщина модуля, соответственно, увеличивается. Физически, такие модули не могут устанавливаться в некоторые системы.

Что такое тактовая частота?

Тактовая частота — это максимальная частота системного генератора, на которой синхронизируются процессы приема/передачи информации.

В типе памяти DDR (а также DDR2 и DDR3) указывается двойное значение тактовой частоты. Это делается потому, что за один такт осуществляется две операции с данными.

Чем выше тактовая частота, тем большее количество операций производится за единицу времени. Это дает возможность приложениям достигнуть более стабильной и быстрой работы. При прочих равных параметрах, память с более высокой тактовой частотой обладает более высокой стоимостью.

Что такое совместимость модуля памяти?

Некоторые модули памяти предназначаются исключительно для определенных ПК и ноутбуков. Это — специальные модули, выпускаемые производителями строго для определенных моделей. Однако, существуют и модули широкого применения, которые доступны для установки на различного рода компьютеры.

Что такое радиатор модуля памяти?

Это специальные металлические пластины, установленные на микросхемах памяти. Основной их функцией является улучшение теплоотдачи системы. Обычно, радиаторы устанавливаются непосредственно на модули. Однако, монтировать их имеет смысл только на высокочастотные модули памяти.

Что такое пропускная способность модуля памяти?

Это тот объем информации, который может быть передан или получен за 1 секунду времени. Данный показатель в модуле памяти напрямую зависит от тактовой частоты. Чтобы рассчитать его, нужно умножить показатель тактовой частоты на ширину шины. Так, чем выше пропускная способность, тем выше скорость работы памяти, и соответственно, выше цена самого модуля (при идентичности всех остальных параметров).

Поддержка ECC

ECC (Error Checking and Correction) — алгоритм, способный обнаруживать и исправлять случайные ошибки, возникшие в результате передачи данных в системе оперативной памяти. Ошибка не должна превышать 1 бит в байте.

Некоторые материнские платы рабочих станций имеют поддержку технологии ECC. Также, ею обладают почти все без исключения серверные платы.

Модули памяти с технологией ECC отличаются более высокой стоимостью, в сравнении с обычными модулями.

Объем памяти одного модуля

Рассчитать общий объем памяти можно, сложив объемы установленных в систему модулей памяти.

Обычному офисному компьютеру для работы в Интернете и простых приложениях хватит 512 Мб. Для комфортной работы с графическими приложениями потребуется 1 Гб (1024 Мб) памяти. Сложные графические программы, а также «тяжелые» компьютерные игры будут должным образом функционировать при 2 Гб (2048 Мб) памяти и выше.

Диапазон объема памяти одного модуля: от 0.03125 до 32.0 Гб.

Низкопрофильный модуль памяти

Модуль памяти уменьшенной (по сравнению с габаритами стандартного модуля) высоты. Как правило, устанавливается в серверные корпуса с заниженным профилем (Low Profile).

Напряжение питания модуля памяти

Каждый модуль оперативной памяти рассчитан на определенный показатель напряжения питания. Вот почему при выборе модуля памяти важно проверить поддержку вашей материнской платой требуемого напряжения питания.

Число чипов на модуле памяти

На одном модуле памяти может располагаться определенное количество чипов. Микросхемы этих чипов могут быть установлены как с одной, так и с обеих сторон платы модуля.

Диапазон количества чипов каждого модуля памяти: от 1 до 72.

Число ранков модуля памяти

Ранк — это область памяти, создаваемая чипами ее модуля. Обладает шириной 64 бита (72 бита, при наличии поддержки ECC).

В зависимости от конструкции, в модуле может быть расположено 1, 2 или 4 ранка.

В настоящее время, все серверные материнские платы обладают ограничением на суммарное количество ранков памяти. К примеру, если в материнской плате может быть установлено максимум 8 ранков или 4 двухранковых модуля, то свободные слоты не будут поддерживать дополнительные модули, поскольку это приведет к превышению установленного ограничения. Вот почему цена одноранковых модулей выше, в сравнении с 2-х- и 4-ранковыми.

Число модулей в комплекте

Модули памяти могут продаваться в наборе. На рынке, помимо одиночных планок, нередко встречаются комплекты по 2, 4, 6, 8 модулей памяти, обладающих идентичными характеристиками. Эти комплекты специально подобраны для работы в двухканальном режиме.

Применение двухканального режима значительно увеличивает пропускную способность оперативной памяти. Таким образом, увеличивается и скорость работы запущенных приложений. Тем пользователям, которым необходима высокая скорость работы игровых и графических приложений, следует обратить особое внимание именно на такие наборы модулей памяти.

При покупке отдельных модулей памяти, важно помнить, что модули даже с идентичными характеристиками, от одного производителя, но приобретенные по отдельности, могут не сработать в паре. При этом необходимо учитывать, что сама материнская плата должна иметь поддержку двухканального режима работы памяти.

Число контактов в модуле памяти

Каждый модуль памяти обладает своим количеством расположенных на нем контактных площадок. Число контактов, находящихся в слоте оперативной памяти материнской платы, обязано совпадать с числом контактов на модуле.

Помимо идентичного количества контактов, совпадать должны и вырезы (ключи, препятствующие некорректной установке).

Диапазон количества контактов модуля памяти: от 144 до 244.

Что такое буферизованный модуль памяти?

Модуль памяти может оснащаться специальными буферами (регистрами). Эти буферы довольно-таки быстро производят сохранение поступивших в них данных, а также сокращают нагрузку на систему синхронизации, давая дополнительное свободное пространство контроллеру памяти.

Установленный между контроллером и чипами памяти буфер образует дополнительную задержку в ходе выполнения операций. Эта задержка составляет обычно 1 такт. Так, показателя высокой надежности можно добиться лишь путем сокращения (пускай и незначительного) быстродействия памяти.

Буферизированные модули памяти отличаются весьма высокой стоимостью и применяются в основном в серверах. Следует также отметить, что буферизованная и небуферизованная память не имеет между собой совместимости.

Что такое tRP?

tRP — это количество тактов между командой закрытия строки и командой открытия следующей строки. По сути, этот показатель определяет то время, которое необходимо для чтения первого бита памяти при другой активной строке: TRP + TRCD + CL.

Row Precharge Delay. Данный параметр определяет время повторной выдачи сигнала RAS. За это время контроллер памяти способен повторно выдать сигнал инициализации адреса строки.

Что такое tRCD?

tRCD — это количество тактов между командой открытия строки и непосредственным доступом к ее столбцам. Данный показатель включает в себя время, которое необходимо для чтения первого бита памяти, без активной строки: TRCD + CL.

RAS to CAS Delay — время задержки между определяющими сигналами адреса строки/столбца.

Что такое tRAS?

tRAS — это количество тактов между командой на открытие банка и командой на заряд. Это то время которое требуется на обновление строки. Данный показатель сочетается с показателем TRCD.

Activate to Precharge Delay — минимальное число циклов между активацией (RAS) и подзарядкой (Precharge) одного и того же банка памяти.

Что такое CAS Latency (CL)?

Данный показатель обозначает временную задержку между отправкой адреса строки/столбца в память и моментом запуска процесса передачи данных. Это время, которое необходимо для чтения первого бита памяти при открытой нужной строке.

CAS — число тактов от момента запроса данных до момента их считывания. Является одной из ключевых характеристик модуля памяти. По сути, данный показатель определяет ее быстродействие. Чем ниже показатель CL, тем выше работоспособность памяти.

Распиновка разъёмов оперативной памяти SIMM, SDRAM, RDRAM, DDR1, DDR2, DDR3

Список рубрик

Теги этой статьи

ddr1
ddr2
ddr3
rdram
sdram
simm
оперативная
память
разъём
распиновка

Самые популярные статьи

Новые статьи на сайте

07/10/2017

18.0 K

ddr1, ddr2, ddr3, rdram, sdram, simm, оперативная

Память DDR SDRAM DIMM (184 pin, Unbuffered)

Модуль памяти DDR SDRAM DIMM (184 pin, Unbuffered)

Нажмите для увеличения изображения

Распиновка разъёма DDR SDRAM DIMM (184 pin, Unbuffered)

Slot pin #	Name	Description
1	VREF	Power supply for reference
2	DQ0	Data input / output
3	VSS	Ground
4	DQ1	Data input / output
5	DQS0	Data strobe input / output
6	DQ2	Data input / output
7	VDD	Power supply (2,5V)
8	DQ3	Data input / output
9	NC	Not connected
10	NC	Not connected
11	VSS	Ground
12	DQ8	Data input / output
13	DQ9	Data input / output
14	DQS1	Data strobe input / output
15	VDD	Power supply (2,5V)
16	CK1	Clock input
17	CK1#	Clock input
18	VSS	Ground
19	DQ10	Data input / output
20	DQ11	Data input / output
21	CKE0	Clock enable input
22	VDD	Power supply (2,5V)
23	DQ16	Data input / output
24	DQ17	Data input / output
25	DQS2	Data strobe input / output
26	VSS	Ground
27	A9	Address input (multiplexed)
28	DQ18	Data input / output
29	A7	Address input (multiplexed)
30	VDD	Power supply (2,5V)
31	DQ19	Data input / output
32	A5	Address input (multiplexed)
33	DQ24	Data input / output
34	VSS	Ground
35	DQ25	Data input / output
36	DQS3	Data strobe input / output
37	A4	Address input (multiplexed)
38	VDD	Power supply (2,5V)
39	DQ26	Data input / output
40	DQ27	Data input / output
41	A2	Address input (multiplexed)
42	VSS	Ground
43	A1	Address input (multiplexed)
44	CB0	Not connected
45	CB1	Not connected
46	VDD	Power supply (2,5V)
47	DQS8	Data strobe input / output
48	A0	Address input (multiplexed)
49	CB2	Not connected
50	VSS	Ground
51	CB3	Not connected
52	BA1	Bank select address
53	DQ32	Data input / output
54	VDD	Power supply (2,5V)
55	DQ33	Data input / output
56	DQS4	Data strobe input / output
57	DQ34	Data input / output
58	VSS	Ground
59	BA0	Bank select address
60	DQ35	Data input / output
61	DQ40	Data input / output
62	VDD	Power supply (2,5V)
63	WE#	Write enable
64	DQ41	Data input / output
65	CAS#	Column address strobe
66	VSS	Ground
67	DQS5	Data strobe input / output
68	DQ42	Data input / output
69	DQ43	Data input / output
70	VDD	Power supply (2,5V)
71	NC	Not connected
72	DQ48	Data input / output
73	DQ49	Data input / output
74	VSS	Ground
75	CK2#	Clock input
76	CK2	Clock input
77	VDD	Power supply (2,5V)
78	DQS6	Data strobe input / output
79	DQ50	Data input / output
80	DQ51	Data input / output
81	VSS	Ground
82	NC	Not connected
83	DQ56	Data input / output
84	DQ57	Data input / output
85	VDD	Power supply (2,5V)
86	DQS7	Data strobe input / output
87	DQ58	Data input / output
88	DQ59	Data input / output
89	VSS	Ground
90	NC	Not connected
91	SDA	Serial data I/O
92	SCL	Serial clock
93	VSS	Ground
94	DQ4	Data input / output
95	DQ5	Data input / output
96	VDD	Power supply (2,5V)
97	DQS9	Data strobe input / output
98	DQ6	Data input / output
99	DQ7	Data input / output
100	VSS	Ground
101	NC	Not connected
102	NC	Not connected
103	NC	Not connected
104	VDD	Power supply (2,5V)
105	DQ12	Data input / output
106	DQ13	Data input / output
107	DQS10	Data strobe input / output
108	VDD	Power supply (2,5V)
109	DQ14	Data input / output
110	DQ15	Data input / output
111	CKE1	Clock enable input
112	VDD	Power supply (2,5V)
113	NC	Not connected
114	DQ20	Data input / output
115	A12	Address input (multiplexed)
116	VSS	Ground
117	DQ21	Data input / output
118	A11	Address input (multiplexed)
119	DQS11	Data strobe input / output
120	VDD	Power supply (2,5V)
121	DQ22	Data input / output
122	A8	Address input (multiplexed)
123	DQ23	Data input / output
124	VSS	Ground
125	A6	Address input (multiplexed)
126	DQ28	Data input / output
127	DQ29	Data input / output
128	VDD	Power supply (2,5V)
129	DQS12	Data strobe input / output
130	A3	Address input (multiplexed)
131	DQ30	Data input / output
132	VSS	Ground
133	DQ31	Data input / output
134	CB4	Not connected
135	CB5	Not connected
136	VDD	Power supply (2,5V)
137	CK0	Clock input
138	CK0#	Clock input
139	VSS	Ground
140	DQS17	Data strobe input / output
141	A10	Address input (multiplexed)
142	CB6	Not connected
143	VDD	Power supply (2,5V)
144	CB7	Not connected
145	VSS	Ground
146	DQ36	Data input / output
147	DQ37	Data input / output
148	VDD	Power supply (2,5V)
149	DQS13	Data strobe input / output
150	DQ38	Data input / output
151	DQ39	Data input / output
152	VSS	Ground
153	DQ44	Data input / output
154	RAS#	Row address strobe
155	DQ45	Data input / output
156	VDD	Power supply (2,5V)
157	S0#	Chip select input
158	S1#	Chip select input
159	DQS14	Data strobe input / output
160	VSS	Ground
161	DQ46	Data input / output
162	DQ47	Data input / output
163	NC	Not connected
164	VDD	Power supply (2,5V)
165	DQ52	Data input / output
166	DQ53	Data input / output
167	NC	Not connected
168	VDD	Power supply (2,5V)
169	DQS15	Data strobe input / output
170	DQ54	Data input / output
171	DQ55	Data input / output
172	VDD	Power supply (2,5V)
173	NC	Not connected
174	DQ60	Data input / output
175	DQ61	Data input / output
176	VSS	Ground
177	DQS16	Data strobe input / output
178	DQ62	Data input / output
179	DQ63	Data input / output
180	VDD	Power supply (2,5V)
181	SA0	Address in EEPROM
182	SA1	Address in EEPROM
183	SA2	Address in EEPROM
184	VDDSPD	Serial EEPROM power supply (2,3-3,6V)

Память DDR2 SDRAM DIMM Unbuffered Module (240 pin)

Модуль памяти DDR2 SDRAM DIMM (240 pin, Unbuffered)

Нажмите для увеличения изображения

Разъём 240 pin DDR2

Нажмите для увеличения изображения

Распиновка разъёма 240 pin DDR2

Контакт #	Описание	Контакт #	Описание
1	VREF	121	VSS
2	VSS	122	DQ4
3	DQ0	123	DQ5
4	DQ1	124	VSS
5	VSS	125	DM0
6	/DQS0	126	NC
7	DQS0	127	VSS
8	VSS	128	DQ6
9	DQ2	129	DQ7
10	DQ3	130	VSS
11	VSS	131	DQ12
12	DQ8	132	DQ13
13	DQ9	133	VSS
14	VSS	134	DM1
15	/DQS1	135	NC
16	DQS1	136	VSS
17	VSS	137	CK1
18	NC	138	/CK1
19	NC	139	VSS
20	VSS	140	DQ14
21	DQ10	141	DQ15
22	DQ11	142	VSS
23	VSS	143	DQ20
24	DQ16	144	DQ21
25	DQ17	145	VSS
26	VSS	146	DM2
27	/DQS2	147	NC
28	DQS2	148	VSS
29	VSS	149	DQ22
30	DQ18	150	DQ23
31	DQ19	151	VSS
32	VSS	152	DQ28
33	DQ24	153	DQ29
34	DQ25	154	VSS
35	VSS	155	DM3
36	/DQS3	156	NC
37	DQS3	157	VSS
38	VSS	158	DQ30
39	DQ26	159	DQ31
40	DQ27	160	VSS
41	VSS	161	NC
42	NC	162	NC
43	NC	163	VSS
44	VSS	164	NC
45	NC	165	NC
46	NC	166	VSS
47	VSS	167	NC
48	NC	168	NC
49	NC	169	VSS
50	VSS	170	VDDQ
51	VDDQ	171	CKE1
52	CKE0	172	VDD
53	VDD	173	NC
54	NC	174	NC
55	NC	175	VDDQ
56	VDDQ	176	A12
57	A11	177	A9
58	A7	178	VDD
59	VDD	179	A8
60	A5	180	A6
61	A4	181	VDDQ
62	VDDQ	182	A3
63	A2	183	A1
64	VDD	184	VDD
KEY (Ключ)
65	VSS	185	CK0
66	VSS	186	/CK0
67	VDD	187	VDD
68	NC	188	A0
69	VDD	189	VDD
70	A10/AP	190	BA1
71	BA0	191	VDDQ
72	VDDQ	192	/RAS
73	/WE	193	/CS0
74	/CAS	194	VDDQ
75	VDDQ	195	ODT0
76	/CS1	196	A13
77	ODT1	197	VDD
78	VDDQ	198	VSS
79	VSS	199	DQ36
80	DQ32	200	DQ37
81	DQ33	201	VSS
82	VSS	202	DM4
83	/DQS4	203	NC
84	DQS4	204	VSS
85	VSS	205	DQ38
86	DQ34	206	DQ39
87	DQ35	207	VSS
88	VSS	208	DQ44
89	DQ40	209	DQ45
90	DQ41	210	VSS
91	VSS	211	DM5
92	/DQS5	212	NC
93	DQS5	213	VSS
94	VSS	214	DQ46
95	DQ42	215	DQ47
96	DQ43	216	VSS
97	VSS	217	DQ52
98	DQ48	218	DQ53
99	DQ49	219	VSS
100	VSS	220	CK2
101	SA2	221	/CK2
102	NC	222	VSS
103	VSS	223	DM6
104	/DQS6	224	NC
105	DQS6	225	VSS
106	VSS	226	DQ54
107	DQ50	227	DQ55
108	DQ51	228	VSS
109	VSS	229	DQ60
110	DQ56	230	DQ61
111	DQ57	231	VSS
112	VSS	232	DM7
113	/DQS7	233	NC
114	DQS7	234	VSS
115	VSS	235	DQ62
116	DQ58	236	DQ63
117	DQ59	237	VSS
118	VSS	238	VDDSPD
119	SDA	239	SA0
120	SCL	240	SA1

Описание контактов и другую информацию по распиновке DDR2 можно найти в документации к модулям памяти DDR2 Micron.

Память DDR3 SDRAM DIMM Unbuffered Module (240 pin)

Модуль памяти DDR3 SDRAM DIMM (240 pin, Unbuffered)

Нажмите для увеличения изображения

Разъём 240 pin DDR3

Нажмите для увеличения изображения

Описание контактов и другую информацию по распиновке можно найти в документации к модулям памяти DDR3 Micron.

Распиновка разъёма 240 pin DDR3

Нажмите для увеличения изображения

Источник: radio-hobby.org

Теги этой статьи

ddr1
ddr2
ddr3
rdram
sdram
simm
оперативная
память
разъём
распиновка

Близкие по теме статьи:

Проверяем microSD SD карты памяти, реальный объём, скорость чтения и записи

6.5 K

h3testw, microsd, usb, карта, память, флэшка

Читать

Распиновка оперативной памяти DDR4 для настольных ПК

9. 5 K

ddr4, земля, контакты, общий, оперативки, памяти, питание

Читать

Распиновка разъёмов матриц для ноутбуков. 20pin, 30 pin, 40pin, 50pin.

18.4 K

20pin, 30pin, 40pin, 50pin, pinouts, матрица, ноутбук

Читать

Распиновка разъёмов оперативной памяти ноутбука. (SIMM, SDRAM, RDRAM, DDR1, DDR2, DDR3)

6.7 K

ddr, ddr2, ddr3, dimm, microdimm, pc100, pc133

Читать

Типы оперативной памяти. Память небуферизированная, память с ECC, память регистровая с ECC. В чём отличия.

21.9 K

ecc, memory, registered, буфер, микросхем, ошибок, память

Читать

Интересное в новостях

04/08/2022 12:50

514

Из Крыма приехали волонтёры в Мариуполь и привезли гуманитарную помощь для оставшихся в городе жителей, немного пообщались с пожилыми жителями города, мамочками с детьми и другими, кто нуждается в помощи….

Читать полностью

26/07/2022 10:20

542

Украинский город Северодонецк российские войска «освободили» как Мариуполь. Июль 2022. Смотрим. Разрушения в Северодонеце наглядно демонстрируют, на что способна безжалостная российская артиллерия….

Читать полностью

22/07/2022 13:45

713

1. Приморский район, Черёмушки, часть первая 2. Приморский район, Черёмушки, часть вторая 3. Центральный район, Драмтеатр, улица Куинджи (Артёма) 4. Центральный район, рынок Азовский, МЖК, улица…

Читать полностью

Компьютерный мирSector

Вся информация на страницах сайта предназначена только для личного не коммерческого использования, учёбы, повышения квалификации и не включает призывы к каким либо действиям.

Частичное или полное использование материалов сайта разрешается только при условии добавления ссылки на непосредственный адрес материала на нашем сайте.

Это интересно

Оперативная память

DDR1, DDR2, DDR3 и DDR4: в чем их различия?

С момента появления оперативной памяти в формате DIMM (Dual In-line Memory Module) на рынке появилось много типов памяти, но с 2000 года именно память DDR преобладает над остальными.

Здесь мы расскажем о разнице между DDR1, DDR2, DDR3 и DDR4 с момента ее появления в 2000 году.

Это правда, что оперативная память DDR1 и DDR2 больше не используется, и фактически памяти DDR1 уже давно нет. Оперативная память DDR3 больше не выпускается, но многие все еще используют ее, в то время как DDR4 уже утвердилась на рынке с момента ее запуска в 2014 году и в настоящее время используется на всех платформах.

Но давайте посмотрим, какие различия мы находим между оперативной памятью DDR1, DDR2, DDR3 и DDR4, чтобы вы могли научиться различать эти типы модулей.

Содержание

Технические отличия

DDR расшифровывается как Double Data Rate, и в основном это означает, что они способны выполнять две задачи чтения и две задачи записи за такт. Это то, что объединяет все поколения, но логически каждое новое поколение вносит изменения и улучшения, которые делают их технически очень разными.

Оперативная память DDR1

Выпущена в 2000 году, не использовалась почти до 2002 года. скорость 266 МТ/с (100-200 МГц).

ОЗУ DDR2

Выпущенный примерно в 2004 году, он работал при напряжении 1,8 В, что на 28% меньше, чем у DDR1. Его максимальная плотность была удвоена до 256 Мб (2 Гб на модуль). Логично, что и максимальная скорость приумножилась, достигнув 533 МГц.

ОЗУ DDR3

Этот выпуск вышел в 2007 году, и это была революция, потому что здесь были реализованы профили XMP. Начнем с того, что модули памяти работали при напряжении 1,5 В и 1,65 В с базовой частотой 1066 МГц, но дело пошло гораздо дальше, и плотность достигла 8 ГБ на модуль.

Оперативная память DDR4

Это не появлялось до 2014 года, но сегодня оно уже является самым распространенным. Напряжение снижено до 1,05 и 1,2В, хотя многие модули работают при 1,35В. Скорость была заметно увеличена, и с каждым разом с завода выпускается более быстрая память, но ее базовая частота начиналась с 2133 МГц. На данный момент уже есть модули на 32 Гб, но и это понемногу расширяется.

Физические различия

Хотя эти четыре типа памяти имеют формат DIMM и могут выглядеть очень похоже (на самом деле все они имеют длину 133,35 мм). Существуют фундаментальные физические различия, из-за которых мы никогда не сможем подключить модуль оперативной памяти DDR1 к разъему DDR2.

Все модули имеют отверстие в районе контактов, которое предотвратит их подключение к розеткам другого поколения (и будьте осторожны, потому что если вы нажмете слишком сильно, вы можете сломать розетку или модуль оперативной памяти).

Кроме того, модули памяти DDR4 RAM имеют контактную площадку с выступом в центре. Он не совсем плоский, хотя и не нужен, потому что разрез не позволит нам подключить модуль DDR4 в сокет другого поколения. На изображении, приведенном ниже, вы можете увидеть физические различия в каждом модуле.

Наконец, следует отметить, что в каждом поколении количество контактов менялось следующим образом:

DDR1: 184 контакта (DIMM), 200 контактов (SO-DIMM) и 172 контакта (микро DIMM).
DDR2: 240-контактный (DIMM), 200-контактный (SO-DIMM) и 214-контактный (микро-DIMM).
DDR3: 240 контактов (DIMM), 204 контакта (SO-DIMM) и 214 контактов (micro DIMM).
DDR4: 288-контактный (DIMM), 256-контактный (SO-DIMM). Модули памяти DDR4 micro DIMM больше не существуют.

Различия в производительности оперативной памяти

Наиболее очевидные различия между различными поколениями оперативной памяти заключаются в производительности. По мере развития технологий производительность постепенно улучшалась, и, как правило, она удваивалась от поколения к поколению.

Таким образом, очевидна разница между оперативной памятью DDR3 и DDR4 например, и не только в практическом плане, но и в плане ощущений, которые пользователи оценивают при использовании ПК с той или иной памятью.

Однако это правда, что также связано с улучшением производительности остальных компонентов, поскольку переход от одного поколения оперативной памяти к другому обычно связан с полной сменой платформы.

Надеюсь, статья помогла понять разницу между DDR1, DDR2, DDR3 и DDR4. Поэтому, если вы когда-нибудь задумаетесь об обновлении оперативной памяти на своем ПК, не забудьте проверить характеристики материнской платы, чтобы узнать, какой тип оперативной памяти она поддерживает.

Узнайте о модулях компьютерной памяти — centonelectronics

SDRAM является синхронной, поэтому для синхронизации сигналов используются часы, создавая предсказуемые упорядоченные циклы выборки и записи данных. Однако SDRAM передает данные по одному фронту тактовой частоты. DDR SDRAM означает, что этот тип SDRAM извлекает данные как по переднему, так и по заднему фронту тактового сигнала, который регулирует его, отсюда и название «Двойная скорость передачи данных». До DDR RAM извлекала данные только один раз за такт. Синхронные данные обеспечивают более быструю работу при координации выборки памяти с требованиями процессора.

Многие люди называют оперативную память процессора просто «DDR», используя эти термины взаимозаменяемо, поскольку DDR так широко используется в качестве оперативной памяти процессора с конца 1990-х годов. DDR — это не флэш-память, подобная той, которая используется для твердотельных накопителей (SSD), карт Secure Digital (SD) или накопителей с универсальной последовательной шиной (USB). Память DDR энергозависима, что означает, что она теряет все при отключении питания.

Оперативная память DDR1

Выпущена в 2000 году, не использовалась почти до 2002 года. ) со скоростью 266 МТ/с (100-200 МГц).

ОЗУ DDR2

ОЗУ DDR3

Этот выпуск вышел в 2007 году, и здесь были реализованы профили XMP. Начнем с того, что модули памяти работали при напряжении 1,5 В и 1,65 В, с базовой частотой 1066 МГц, а плотность достигала 8 ГБ на модуль.

• (XMP или Extreme Memory Profiles — это технология Intel, которая позволяет изменять несколько параметров памяти, просто выбирая другой профиль, используя более высокие скорости памяти, чем стандартные)

ОЗУ DDR4

Это не поступать до 2014 года, но на сегодняшний день он является самым распространенным. Напряжение снижено до 1,05 и 1,2В, хотя многие модули работают при 1,35В. Скорость была заметно увеличена, и с каждым разом с завода выпускается более быстрая память, но ее базовая частота начиналась с 2133 МГц. На данный момент уже есть модули на 32 Гб, но и это понемногу расширяется.

Стандарт

Рабочее напряжение

Асвязанные тактовые циклы ОЗУ

DDR SDRAM (2000)

DDR2 SDRAM (2003)

DDR2DRAM (2003)

DDR2DRAM (20003

DDR2DRAM ) SDRAM (2014)

2,6 В, 2,5 В

1,8 В, 1,55 В

1,5 В, 1,35 В

100 — 200 МГц

200 — 400 МГц

400 МГц — 1066 МГц

1066–16002 4002 МГц — 1066 МГц

1066 –19002 400 МГц — 1066 МГц

9000.19003

400 МГц — 1066 МГц

. МГц

Физические различия

Хотя эти четыре типа памяти имеют формат DIMM и могут выглядеть очень похоже (на самом деле все они имеют длину 133,35 мм). Существуют фундаментальные физические различия, из-за которых вы не можете подключить модуль оперативной памяти DDR1 к разъему DDR2.

Все модули имеют отверстие в области контактов, что предотвратит их подключение к розеткам другого поколения.

Наконец, следует отметить, что в каждом поколении количество контактов менялось следующим образом:

Самая большая разница от поколения к поколению оперативной памяти заключалась в производительности. По мере развития и совершенствования технологий мы обычно наблюдаем удвоение для каждого выпуска.

DDR5 SDRAM — следующий стандарт, предложенный для удвоения скорости DDR4 SDRAM. По данным Ассоциации твердотельных технологий JEDEC, которая является стандартом для DDR SDRAM, «стандарт JEDEC DDR5 в настоящее время находится в разработке в комитете JEDEC JC-42 по твердотельным запоминающим устройствам.

Об авторе

alexxlab

Добавить комментарий

Отменить ответ
Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *
Комментарий:*
Имя:*
Email:*
Сайт:

Частые вопросы — Оперативная память

Распиновка разъёмов оперативной памяти SIMM, SDRAM, RDRAM, DDR1, DDR2, DDR3

Память DDR SDRAM DIMM (184 pin, Unbuffered)

Память DDR2 SDRAM DIMM Unbuffered Module (240 pin)

Память DDR3 SDRAM DIMM Unbuffered Module (240 pin)

Теги этой статьи

Проверяем microSD SD карты памяти, реальный объём, скорость чтения и записи

Распиновка оперативной памяти DDR4 для настольных ПК

Распиновка разъёмов матриц для ноутбуков. 20pin, 30 pin, 40pin, 50pin.

Распиновка разъёмов оперативной памяти ноутбука. (SIMM, SDRAM, RDRAM, DDR1, DDR2, DDR3)

Типы оперативной памяти. Память небуферизированная, память с ECC, память регистровая с ECC. В чём отличия.

Компьютерный мирSector

Это интересно

DDR1, DDR2, DDR3 и DDR4: в чем их различия?

Технические отличия

Оперативная память DDR1

ОЗУ DDR2

ОЗУ DDR3

Оперативная память DDR4

Физические различия

Различия в производительности оперативной памяти

Узнайте о модулях компьютерной памяти — centonelectronics

Стандарт

Рабочее напряжение

Асвязанные тактовые циклы ОЗУ

Физические различия

Похожие записи

Об авторе

alexxlab

Добавить комментарий