40No3P транзистор характеристики: 40N03P: Характеристики транзистора

admin | 24.09.2022 | Популярное | Комментариев нет

40N03P: Характеристики транзистора

Полевой, n-канальный транзистор 40N03P, по своим техническим характеристикам обеспечивает наилучшее сочетание быстрого переключения, надёжности и невысокого сопротивления во включённом состоянии. Чаще всего его используют в конструкциях, с невысоким напряжением. Например, это могут быть преобразователи тока или в быстродействующих переключающих схемах.

Цоколевка

40N03P выпускается в корпусе ТО-220АВ, его наиболее часто используют для такого рода транзисторов мощностью не более 50 Вт. Выводы устройства, если смотреть прямо на маркировку (ножки находятся внизу), расположены так: слева затвор, в середине сток и слева исток. Наглядно с положением ножек можно увидеть на следующем рисунке:

Технические характеристики

В начале обычно указывают предельно допустимые параметры. Они считаются наиболее важными, и на них нужно смотреть в первую очередь при подборе замены, так если при работе они выйдут за максимальные пределы, транзистор выйдет из строя. Стандартная температура, при которой они измеряются равна +25°С.

Характеристики 40N03P:

  • напряжение С-И VDS = 30 В;
  • напряжение З-И VGS = ±20 В;
  • постоянный ток, проходящий через сток:
    • — при температуре кристалла +25ОС IС = 55 А;
    • — при температуре кристалла +70ОС IС = 45 А;
    • — при температуре воздуха +25ОС ID = 25,8 А;
    • — при температуре воздуха +70ОС ID = 20 А.
  • пиковый ток стока IDМ = 200 А;
  • импульс лавинного тока IAS = 39 А;
  • энергия лавинного импульса EAS = 94,8 мДж;
  • постоянный ток через диод С-И
    • — при температуре кристалла ТС = 25°С IS = 50 А;
    • — при температуре окружающей среды ТА = 25°С IS = 3,13 А;
  • мощность
    • — при температуре кристалла +25ОС PD = 120 А;
    • — при температуре кристалла +70ОС PD = 85 А;
    • — при температуре воздуха +25ОС PD = 3,75 А;
    • — при температуре воздуха +70ОС PD = 2,63 Вт;
  • диапазон температур TJ = -55 ОC … +150ОC.

Возможности и сфера применения транзистора зависят также и от электрических значений. Обычно их делят на три категории: статические параметры, динамические и канальные. Условия, при которых проводились измерения можно посмотреть в колонке таблицы «Параметры тестирования».

Электрические характеристики 40N03P (при Т = +25ОC)
ПараметрыПараметры тестированияОбозн.mintypmaxЕд. изм
Статические
Напряжение пробоя С-ИVGS =0 В ID=250 мкАVDS30В
Зависимость напряжения пробоя от т-рыID=250 мкАΔVDS/TJ35мВ/ОС
Пороговое напряжения пробоя от т-рыID=250 мкАΔVDS(th)/TJ-7,5мВ/ОС
Пороговое напряжение между затвором и истокомVDS = VGS , ID = 250 мкАVGS(th)12,5В
Утечка З-ИVDS = 0 В, VGS = ± 20 ВIGSS±100нА
Ток утечкиVDS = 30 В, VGS = 0 ВIDSS1мкА
VDS = 30 В, VGS = 0 В,

TJ = 55 ОC

10
Ток стока в открытом состоянииVDS ≥ 5 В, VGS = 10 ВID(ON)90А
Сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянииVGS = 10 В, ID = 28,8 ARDS(on)0,01Ом
VGS = 4,5 В, ID = 37 A0,018
КрутизнаVDS = 15 В , ID = 28,8 А160S
Динамические
Входная ёмкость транзистораVGS = 0 В, VDS = 15 В,

f = 1,0 МГц

Ciss2201пФ
Выходная ёмкость транзистораCoss525
Обратная передаточная емкостьCrss370
Общий заряд затвораVDS = 15 В, VGS = 10 В, ID = 28,8 АQg3545нКл
Заряд между затвором и источникомVDS = 15 В, VGS = 4,5 В, ID = 28,8 АQgs15
Заряд между затвором и стокомQgd20
Сопротивление затвораf = 1,0 МГцRg1,42,1Ом
Время открытия устройстваVDD = 15 В, ID = 24 А,

RG = 1 Ом, VGEN = 10 В,

RL = 0,625 Ом

td(on)18нс
Время нарастания импульса открытияtr11
Время закрытия устройстваtd(off)70
Время спада импульсаtf10
Время открытия устройстваVDD = 15 В, ID = 22,5 А, RG = 1 Ом, VGEN = 4,5В, RL = 1 Омtd(on)5583нс
Время нарастания импульса открытияtr180270
Время закрытия устройстваtd(off)5583
Время спада импульсаtf1218
Характеристики канала
Длительный ток исток-стокТС = 25°СIS120А
Импульсный ток через каналISM120А
Падение напряжения на диодеIS = 22 AVSD0,81,2В
Время обратного восстановленияTJ = 25ОC, IF = 20 A,

dI/dt = 100 A/мкс

trr5278нс
Заряд обратного восстановленияQrr70,2105

Из-за того, что мощные транзисторы могут сильно греться, требуется кроме прочего ознакомиться с тепловыми величинами. Они показывают, насколько быстро тепло отводится от корпуса устройства. Для 40N03P они равны:

ПараметрОбознТип.Макс.Ед. изм.
Тепловое сопротивление кристалл-воздухRthJA3240°С/Вт
Тепловое сопротивление кристалл-корпусRthJC0,50,6°С/Вт

Аналоги

Для замены подойдут n-канальные полевые транзисторы с максимальной разностью потенциалов между стоком и истоком 40 В и током через сток 30 А или выше. В качестве аналога 40N03P можно использовать:

  • IRFZ44;
  • 40N10;
  • 50N06.

Отечественных аналогов нет.

Производители

Производством транзистора 40N03P (datasheet скачать по ссылке) занимается китайская компания VBsemi Electronics. В отечественных магазинах этот транзистор встретить очень сложно. Чаще всего его можно найти в компьютерном блоке питания.

Транзистор 40N03: характеристики и цоколевка

Главная » Транзисторы

Мощный полевой, n-канальный транзистор 40N03P, по своим техническим характеристикам обеспечивает высокую скорость переключений, хорошую надёжность и низкое сопротивление на переходе (до 10 мОм) при включении в прямом направлении. Он широко используются в схемах с низким напряжением питания (до 30 В), преимущественно в преобразователях электрической энергии. Довольно часто встречается в импульсных блоках питания для компьютеров и другой бытовой техники.

Содержание

  1. Цоколевка
  2. Технические параметры
  3. Электрические параметры
  4. Тепловые параметры
  5. Аналоги
  6. Производители

Цоколевка

Цоколевка 40N03P в корпусе ТО-220AB, если положить транзистор перед собой и смотреть на его маркировку, следующая: затвор (З) слева, сток (С) посередине, исток (И) справа. Средний вывод физически соединен с металлической подложкой. Наглядно назначение всех контактов показано на рисунке ниже.

Согласно datasheet изделие выполнено с применением европейского экологического стандарта RoHS 2011/65/ЕС и безгалогенных требований JEDEC JS709A, прошло испытания связанные с нефиксированной индуктивной коммутацией (UIS Test). Внутри корпуса между выводами стока и истока размещён встроенный диод.

Технические параметры

Рассмотрим более подробно технические параметры 40N03P. Стоит отметить, что согласно техописания (datasheet) данное устройство является низковольтным MOSFET-транзистором созданным с применением получившей развитие в 2000-х годах технологии TrenchFET компании IRF. Данная разработка позволила сделать кристалл более компактным, уменьшить себестоимости продукции, а также качественно улучшить характеристики изделия в части коммутационных свойств и снижения потерь проводимости.

Основные характеристики транзистора 40N03P (при ТА = 25 oС):

  • максимальное напряжение сток-исток (V DS) — до 30 В;
  • максимальный ток стока (I D) — до 55 A;
  • сопротивление проводящего канала сток-исток (R DSon) — от 0. 010 Ом;
  • рассеиваемая мощность (P D) — до 120 Вт;
  • общий заряд затвора (Q g) — от 25 нС;
  • Температура кристалла (T J) -55 ОC … +150ОC.

Превышение указанных параметров может привести к выходу изделия из строя. Поэтому производители в datasheet кроме максимальных значений указывают номинальные или электрические.

Электрические параметры

В таблице ниже представлены типовые электрические параметры 40N03P. Все значения справедливы для температур окружающей среды (ТА) не более + 25 oС. В отдельной графе приведены режимы измерений.

Тепловые параметры

Мощные полевые транзисторы довольно сильно греются под нагрузкой, особенно при работе на предельных значениях параметров. Поэтому в datasheet, кроме основных характеристик, приводятся тепловые показатели использования. Для предотвращения перегрева и отвода тепла обычно используют радиатор.

Аналоги

Для замены 40N03P подойдут любые низковольтные MOSFET-транзисторы с максимальным напряжением VDS от 30 В и выше. В этом качестве обычно используют IRFZ44N, 40N10, SSM40N03P или RFP50N06. У отечественных производителей аналогов не существует.

Производители

40N03P является разработкой китайской электронной промышленности. Его основным производителем считается VBsemi Electronics. Скачать datasheet в pdf-формате можно по ссылке.

MOSFET

DataSheet PDF Search Site


Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных вам спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39.com, основного источника таблиц данных.

С обширной коллекцией спецификаций электронных компонентов, от транзисторов до микроконтроллеров, на Datasheet39.com есть все, что вам нужно для завершения ваших электронных проектов.

Преимущества использования сайта

Вы можете скачать все спецификации бесплатно на Datasheet39.

Похожие записи

Об авторе

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *