40No3P транзистор характеристики: 40N03P: Характеристики транзистора
Содержание
40N03P: Характеристики транзистора
Полевой, n-канальный транзистор 40N03P, по своим техническим характеристикам обеспечивает наилучшее сочетание быстрого переключения, надёжности и невысокого сопротивления во включённом состоянии. Чаще всего его используют в конструкциях, с невысоким напряжением. Например, это могут быть преобразователи тока или в быстродействующих переключающих схемах.
Цоколевка
40N03P выпускается в корпусе ТО-220АВ, его наиболее часто используют для такого рода транзисторов мощностью не более 50 Вт. Выводы устройства, если смотреть прямо на маркировку (ножки находятся внизу), расположены так: слева затвор, в середине сток и слева исток. Наглядно с положением ножек можно увидеть на следующем рисунке:
Технические характеристики
В начале обычно указывают предельно допустимые параметры. Они считаются наиболее важными, и на них нужно смотреть в первую очередь при подборе замены, так если при работе они выйдут за максимальные пределы, транзистор выйдет из строя.
Стандартная температура, при которой они измеряются равна +25°С.
Характеристики 40N03P:
- напряжение С-И VDS = 30 В;
- напряжение З-И VGS = ±20 В;
- постоянный ток, проходящий через сток:
- — при температуре кристалла +25ОС IС = 55 А;
- — при температуре кристалла +70ОС IС = 45 А;
- — при температуре воздуха +25ОС ID = 25,8 А;
- — при температуре воздуха +70ОС ID = 20 А.
- пиковый ток стока IDМ = 200 А;
- импульс лавинного тока IAS = 39 А;
- энергия лавинного импульса EAS = 94,8 мДж;
- постоянный ток через диод С-И
- — при температуре кристалла ТС = 25°С IS = 50 А;
- — при температуре окружающей среды ТА = 25°С IS = 3,13 А;
- мощность
- — при температуре кристалла +25ОС PD = 120 А;
- — при температуре кристалла +70ОС PD = 85 А;
- — при температуре воздуха +25ОС PD = 3,75 А;
- — при температуре воздуха +70ОС PD = 2,63 Вт;
- диапазон температур TJ = -55 ОC … +150ОC.
Возможности и сфера применения транзистора зависят также и от электрических значений. Обычно их делят на три категории: статические параметры, динамические и канальные. Условия, при которых проводились измерения можно посмотреть в колонке таблицы «Параметры тестирования».
| Электрические характеристики 40N03P (при Т = +25ОC) | ||||||
| Параметры | Параметры тестирования | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм |
| Статические | ||||||
| Напряжение пробоя С-И | VGS =0 В ID=250 мкА | VDS | 30 | В | ||
| Зависимость напряжения пробоя от т-ры | ID=250 мкА | ΔVDS/TJ | 35 | мВ/ОС | ||
| Пороговое напряжения пробоя от т-ры | ID=250 мкА | ΔVDS(th)/TJ | -7,5 | мВ/ОС | ||
| Пороговое напряжение между затвором и истоком | VDS = VGS , ID = 250 мкА | VGS(th) | 1 | 2,5 | В | |
| Утечка З-И | VDS = 0 В, VGS = ± 20 В | IGSS | ±100 | нА | ||
| Ток утечки | VDS = 30 В, VGS = 0 В | IDSS | 1 | мкА | ||
| VDS = 30 В, VGS = 0 В, TJ = 55 ОC | 10 | |||||
| Ток стока в открытом состоянии | VDS ≥ 5 В, VGS = 10 В | ID(ON) | 90 | А | ||
| Сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии | VGS = 10 В, ID = 28,8 A | RDS(on) | 0,01 | Ом | ||
| VGS = 4,5 В, ID = 37 A | 0,018 | |||||
| Крутизна | VDS = 15 В , ID = 28,8 А | 160 | S | |||
| Динамические | ||||||
| Входная ёмкость транзистора | VGS = 0 В, VDS = 15 В, f = 1,0 МГц | Ciss | 2201 | пФ | ||
| Выходная ёмкость транзистора | Coss | 525 | ||||
| Обратная передаточная емкость | Crss | 370 | ||||
| Общий заряд затвора | VDS = 15 В, VGS = 10 В, ID = 28,8 А | Qg | 35 | 45 | нКл | |
| Заряд между затвором и источником | VDS = 15 В, VGS = 4,5 В, ID = 28,8 А | Qgs | 15 | |||
| Заряд между затвором и стоком | Qgd | 20 | ||||
| Сопротивление затвора | f = 1,0 МГц | Rg | 1,4 | 2,1 | Ом | |
| Время открытия устройства | VDD = 15 В, ID = 24 А, RG = 1 Ом, VGEN = 10 В, RL = 0,625 Ом | td(on) | 18 | нс | ||
| Время нарастания импульса открытия | tr | 11 | ||||
| Время закрытия устройства | td(off) | 70 | ||||
| Время спада импульса | tf | 10 | ||||
| Время открытия устройства | VDD = 15 В, ID = 22,5 А, RG = 1 Ом, VGEN = 4,5В, RL = 1 Ом | td(on) | 55 | 83 | нс | |
| Время нарастания импульса открытия | tr | 180 | 270 | |||
| Время закрытия устройства | td(off) | 55 | 83 | |||
| Время спада импульса | tf | 12 | 18 | |||
| Характеристики канала | ||||||
| Длительный ток исток-сток | ТС = 25°С | IS | 120 | А | ||
| Импульсный ток через канал | ISM | 120 | А | |||
| Падение напряжения на диоде | IS = 22 A | VSD | 0,8 | 1,2 | В | |
| Время обратного восстановления | TJ = 25ОC, IF = 20 A, dI/dt = 100 A/мкс | trr | 52 | 78 | нс | |
| Заряд обратного восстановления | Qrr | 70,2 | 105 | |||
Из-за того, что мощные транзисторы могут сильно греться, требуется кроме прочего ознакомиться с тепловыми величинами.
Они показывают, насколько быстро тепло отводится от корпуса устройства. Для 40N03P они равны:
| Параметр | Обозн | Тип. | Макс. | Ед. изм. |
| Тепловое сопротивление кристалл-воздух | RthJA | 32 | 40 | °С/Вт |
| Тепловое сопротивление кристалл-корпус | RthJC | 0,5 | 0,6 | °С/Вт |
Аналоги
Для замены подойдут n-канальные полевые транзисторы с максимальной разностью потенциалов между стоком и истоком 40 В и током через сток 30 А или выше. В качестве аналога 40N03P можно использовать:
- IRFZ44;
- 40N10;
- 50N06.
Отечественных аналогов нет.
Производители
Производством транзистора 40N03P (datasheet скачать по ссылке) занимается китайская компания VBsemi Electronics. В отечественных магазинах этот транзистор встретить очень сложно. Чаще всего его можно найти в компьютерном блоке питания.
Транзистор 40N03: характеристики и цоколевка
Главная » Транзисторы
Мощный полевой, n-канальный транзистор 40N03P, по своим техническим характеристикам обеспечивает высокую скорость переключений, хорошую надёжность и низкое сопротивление на переходе (до 10 мОм) при включении в прямом направлении. Он широко используются в схемах с низким напряжением питания (до 30 В), преимущественно в преобразователях электрической энергии. Довольно часто встречается в импульсных блоках питания для компьютеров и другой бытовой техники.
Содержание
- Цоколевка
- Технические параметры
- Электрические параметры
- Тепловые параметры
- Аналоги
- Производители
Цоколевка
Цоколевка 40N03P в корпусе ТО-220AB, если положить транзистор перед собой и смотреть на его маркировку, следующая: затвор (З) слева, сток (С) посередине, исток (И) справа. Средний вывод физически соединен с металлической подложкой. Наглядно назначение всех контактов показано на рисунке ниже.
Согласно datasheet изделие выполнено с применением европейского экологического стандарта RoHS 2011/65/ЕС и безгалогенных требований JEDEC JS709A, прошло испытания связанные с нефиксированной индуктивной коммутацией (UIS Test). Внутри корпуса между выводами стока и истока размещён встроенный диод.
Технические параметры
Рассмотрим более подробно технические параметры 40N03P. Стоит отметить, что согласно техописания (datasheet) данное устройство является низковольтным MOSFET-транзистором созданным с применением получившей развитие в 2000-х годах технологии TrenchFET компании IRF. Данная разработка позволила сделать кристалл более компактным, уменьшить себестоимости продукции, а также качественно улучшить характеристики изделия в части коммутационных свойств и снижения потерь проводимости.
Основные характеристики транзистора 40N03P (при ТА = 25 oС):
- максимальное напряжение сток-исток (V DS) — до 30 В;
- максимальный ток стока (I D) — до 55 A;
- сопротивление проводящего канала сток-исток (R DSon) — от 0. 010 Ом;
- рассеиваемая мощность (P D) — до 120 Вт;
- общий заряд затвора (Q g) — от 25 нС;
- Температура кристалла (T J) -55 ОC … +150ОC.
010 Ом;Превышение указанных параметров может привести к выходу изделия из строя. Поэтому производители в datasheet кроме максимальных значений указывают номинальные или электрические.
Электрические параметры
В таблице ниже представлены типовые электрические параметры 40N03P. Все значения справедливы для температур окружающей среды (ТА) не более + 25 oС. В отдельной графе приведены режимы измерений.
Тепловые параметры
Мощные полевые транзисторы довольно сильно греются под нагрузкой, особенно при работе на предельных значениях параметров. Поэтому в datasheet, кроме основных характеристик, приводятся тепловые показатели использования. Для предотвращения перегрева и отвода тепла обычно используют радиатор.
Аналоги
Для замены 40N03P подойдут любые низковольтные MOSFET-транзисторы с максимальным напряжением VDS от 30 В и выше.
В этом качестве обычно используют IRFZ44N, 40N10, SSM40N03P или RFP50N06. У отечественных производителей аналогов не существует.
Производители
40N03P является разработкой китайской электронной промышленности. Его основным производителем считается VBsemi Electronics. Скачать datasheet в pdf-формате можно по ссылке.
MOSFET
DataSheet PDF Search Site
| Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных вам спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39.com, основного источника таблиц данных. С обширной коллекцией спецификаций электронных компонентов, от транзисторов до микроконтроллеров, на Datasheet39.com есть все, что вам нужно для завершения ваших электронных проектов. |
Преимущества использования сайта
Вы можете скачать все спецификации бесплатно на Datasheet39. Похожие записи
Об авторе alexxlab |
